目录

一、生产试制总结

四位移位寄存器试制小结

4×4多路转接器

高速J-K触发器

肖特基二极管钳位高速D－型触发器

TTL高速与非门若干问题的讨论

等离子腐蚀工艺评述

1．综述

二、译文

硅固态平面掺杂源的进展

国际圆片标准化—是事实还是幻想？

集成注入逻辑（I2L）—现状与未来

电子手表用的集成注入逻辑大规模集成电路——它的优点与可能性

2．线路设计

晶体管的瞬态特性

达到CMOS抗扰度又保持T2L速度的T3L

等平面结构高集成度存储器

最新双极型逻辑电路

3．工艺

高速高密度双极存储单元面积缩小的隔离法

硅加盐酸的热氧化膜

半导体元件的表面处理方法

二氧化硅与金属界面的化学反应

铬掩模缺陷检查

多发射极晶体管的发射极金属化

去除LSI器件硅基片上的杂质与缺陷

高成品率半导体硅衬底

减缓隐埋层的外扩散

光刻对准法

半导体工艺缺陷监控器

无缺陷硅单晶片的生产

4．可靠性

半导体塑料封装的密封性试验

日立半导体集成电路的可靠性管理

5．设备

涂胶烘胶机

引线焊接的自动化