主页 详情

《GaAs场效应晶体管基础》_(日)福田益美,(日)平地康刚合著;王钢译_12025740_7801648501

【书名】:《GaAs场效应晶体管基础》
【作者】:(日)福田益美,(日)平地康刚合著;王钢译
【出版社】:北京:中国石化出版社
【时间】:2005
【页数】:240
【ISBN】:7801648501
【SS码】:12025740

最新查询

内容简介

前言

肖克莱模型

肖克莱模型的四个假设

根据肖克莱模型进行FET工作原理的解析

跨导与漏极电导

Lehovec-Zuleeg模型

肖克莱模型的局限性与迁移率的电场依存性

根据Lehovec-Zuleeg模型进行FET工作原理的解析

漏极电流的饱和及沟道的导通程度

跨导与漏极电导

Statz模型(二区域模型)

肖克莱模型与Lehovec-Zuleeg模型的局限性及漏极电流饱和后的处理方法

根据Statz模型进行FET工作原理的解析

跨导与漏电导

根据计算机进行FET工作原理的二维数值解析

根据解析手法进行FET工作原理解析的局限性

考虑了迁移率电场依存性的二维数值解析(Kennedy-O′Btien模型)

考虑了GaAs负微分迁移率的二维数值解析(山口模型)

短栅长FET

速度过冲(velocity overshoot)

纵横比的低下

短栅长FET的工作原理

前言

FET的功率增益

FET的剖面构造与等效电路

由等效电路参数所表示的FET功率增益

FET本征区域的高频化

提高截止频率

栅极-漏极间电容的影响

通过低减寄生参数来实现FET的高频化

减小源电阻

减小栅电阻

减小源电感

减小栅极-漏极间电容

根据单指栅宽的最优化来实现FET的高频化

根据分布参数电路模型来解析FET的工作原理

最优化单指栅宽

前言

S参数

为什么要应用S参数

传输线路与行波

S参数的定义

S参数的测试

测试基准面的变换

用史密斯(阻抗)圆图表示S参数

史密斯圆图

史密斯圆图的量纲与S参数

GaAs FET的S参数实测例

S参数的信号流向图(Signal Flow Graph)表示

信号流向图的规则

将两端口网络与信号源及负载相接续时的信号流向图

转换功率增益

转换功率增益的定义

根据信号流向图推导转换功率增益表达式

资用功率增益

资用功率增益的定义

资用功率增益表达式

最大资用功率增益

FET的稳定性与稳定因子

最大资用功率增益

最大单向功率增益

Mason定理

最大单向功率增益

最高振荡频率

最高振荡频率的定义

最高振荡频率的实测

截止频率

第三章的附录

附录Ⅰ式(3.17)的推导

附录Ⅱ式(3.51)的推导

附录Ⅲ式(3.60)的推导

附录Ⅳ式(3.94)的推导

附录Ⅴ式(3.104)的推导

前言

噪声的基本概念

热噪声

散粒噪声

产生复合噪声

1/f噪声

量子噪声

FET的噪声源

根据二区域模型进行FET噪声的解析

噪声系数

噪声系数的定义

使用最简单的FET等效电路进行噪声系数解析

漏极噪声与感应栅极噪声的相关性

使用考虑了寄生参数的FET等效电路进行噪声系数解析

在假设无噪声(noiseless)FET前提下进行噪声系数解析

最小噪声系数

最小噪声系数的等效电路参数表示

GaAsFET噪声系数的测试

低噪声GaAs FET的试制

低噪声GaAs FET的设计

低噪声GaAs FET的试制与噪声系数的测试

低噪声HEMT

HEMT的结构

HEMT的工作原理

HEMT的噪声

低噪声HEMT的特性与应用

低噪声HEMT的未来

第四章的附录

附录Ⅰ由速度非饱和区域所产生的漏极噪声(漏极噪声Ⅰ)iD1,VD1的推导

附录Ⅱ由速度饱和区域所产生的漏极噪声(漏极噪声Ⅱ)iD2,VD2的推导

附录Ⅲ由速度非饱和区域的漏极噪声所产生的感应栅极噪声(感应栅极噪声Ⅰ)iG1,VG1的推导

附录Ⅳ由速度饱和区域的漏极噪声所产生的感应栅极噪声(感应栅极噪声Ⅱ)iG2,VG2的推导

附录Ⅴ相关因子C的详细表达式

附录Ⅵ考虑了寄生参数的FET的噪声系数式的推导

附录Ⅶ式(4.62)的推导

前言

大功率FET的工作原理

大功率FET的基本原理及最大输出、饱和输出功率

漏极效率与功率附加效率

大功率FET的线性增益及大信号工作时的漏极阻抗

B类工作及高效率工作

高频大功率FET版图结构的设计

设计输出功率及全栅宽

单指栅宽的实验研讨

设计工作频率及芯片尺寸

并列工作与焊接区数量

高频大功率FET的版图结构

FET的击穿电压

FET的漏极击穿电压

FET的栅极击穿电压(侧向栅极击穿电压)

FET的缓冲层的击穿电压

FET的热阻

沟道温度上升及器件性能

FET的散热模型(梳形结构FET)

栅极·栅极间隔与热阻

衬底厚度与热阻

热阻的测试法

源电感的降低(特别是通路孔结构)

通常的通路孔结构

考虑了芯片尺寸的通路孔结构

源极电感的低减效果

大功率GaAs FET高频输出功率的测试

大功率GaAs FET的试制

大功率GaAs FET的设计

大功率GaAs FET的试制与实测

大功率GaAs FET的性能及其应用


书查询(www.shuchaxun.com)本网页唯一编码:
747e612dc711ff88f4d08997262b9641#12f7629e50c6bffadf15793ad2d80227#49770907#12025740.zip