内容简介
前言
肖克莱模型
肖克莱模型的四个假设
根据肖克莱模型进行FET工作原理的解析
跨导与漏极电导
Lehovec-Zuleeg模型
肖克莱模型的局限性与迁移率的电场依存性
根据Lehovec-Zuleeg模型进行FET工作原理的解析
漏极电流的饱和及沟道的导通程度
跨导与漏极电导
Statz模型(二区域模型)
肖克莱模型与Lehovec-Zuleeg模型的局限性及漏极电流饱和后的处理方法
根据Statz模型进行FET工作原理的解析
跨导与漏电导
根据计算机进行FET工作原理的二维数值解析
根据解析手法进行FET工作原理解析的局限性
考虑了迁移率电场依存性的二维数值解析(Kennedy-O′Btien模型)
考虑了GaAs负微分迁移率的二维数值解析(山口模型)
短栅长FET
速度过冲(velocity overshoot)
纵横比的低下
短栅长FET的工作原理
前言
FET的功率增益
FET的剖面构造与等效电路
由等效电路参数所表示的FET功率增益
FET本征区域的高频化
提高截止频率
栅极-漏极间电容的影响
通过低减寄生参数来实现FET的高频化
减小源电阻
减小栅电阻
减小源电感
减小栅极-漏极间电容
根据单指栅宽的最优化来实现FET的高频化
根据分布参数电路模型来解析FET的工作原理
最优化单指栅宽
前言
S参数
为什么要应用S参数
传输线路与行波
S参数的定义
S参数的测试
测试基准面的变换
用史密斯(阻抗)圆图表示S参数
史密斯圆图
史密斯圆图的量纲与S参数
GaAs FET的S参数实测例
S参数的信号流向图(Signal Flow Graph)表示
信号流向图的规则
将两端口网络与信号源及负载相接续时的信号流向图
转换功率增益
转换功率增益的定义
根据信号流向图推导转换功率增益表达式
资用功率增益
资用功率增益的定义
资用功率增益表达式
最大资用功率增益
FET的稳定性与稳定因子
最大资用功率增益
最大单向功率增益
Mason定理
最大单向功率增益
最高振荡频率
最高振荡频率的定义
最高振荡频率的实测
截止频率
第三章的附录
附录Ⅰ式(3.17)的推导
附录Ⅱ式(3.51)的推导
附录Ⅲ式(3.60)的推导
附录Ⅳ式(3.94)的推导
附录Ⅴ式(3.104)的推导
前言
噪声的基本概念
热噪声
散粒噪声
产生复合噪声
1/f噪声
量子噪声
FET的噪声源
根据二区域模型进行FET噪声的解析
噪声系数
噪声系数的定义
使用最简单的FET等效电路进行噪声系数解析
漏极噪声与感应栅极噪声的相关性
使用考虑了寄生参数的FET等效电路进行噪声系数解析
在假设无噪声(noiseless)FET前提下进行噪声系数解析
最小噪声系数
最小噪声系数的等效电路参数表示
GaAsFET噪声系数的测试
低噪声GaAs FET的试制
低噪声GaAs FET的设计
低噪声GaAs FET的试制与噪声系数的测试
低噪声HEMT
HEMT的结构
HEMT的工作原理
HEMT的噪声
低噪声HEMT的特性与应用
低噪声HEMT的未来
第四章的附录
附录Ⅰ由速度非饱和区域所产生的漏极噪声(漏极噪声Ⅰ)iD1,VD1的推导
附录Ⅱ由速度饱和区域所产生的漏极噪声(漏极噪声Ⅱ)iD2,VD2的推导
附录Ⅲ由速度非饱和区域的漏极噪声所产生的感应栅极噪声(感应栅极噪声Ⅰ)iG1,VG1的推导
附录Ⅳ由速度饱和区域的漏极噪声所产生的感应栅极噪声(感应栅极噪声Ⅱ)iG2,VG2的推导
附录Ⅴ相关因子C的详细表达式
附录Ⅵ考虑了寄生参数的FET的噪声系数式的推导
附录Ⅶ式(4.62)的推导
前言
大功率FET的工作原理
大功率FET的基本原理及最大输出、饱和输出功率
漏极效率与功率附加效率
大功率FET的线性增益及大信号工作时的漏极阻抗
B类工作及高效率工作
高频大功率FET版图结构的设计
设计输出功率及全栅宽
单指栅宽的实验研讨
设计工作频率及芯片尺寸
并列工作与焊接区数量
高频大功率FET的版图结构
FET的击穿电压
FET的漏极击穿电压
FET的栅极击穿电压(侧向栅极击穿电压)
FET的缓冲层的击穿电压
FET的热阻
沟道温度上升及器件性能
FET的散热模型(梳形结构FET)
栅极·栅极间隔与热阻
衬底厚度与热阻
热阻的测试法
源电感的降低(特别是通路孔结构)
通常的通路孔结构
考虑了芯片尺寸的通路孔结构
源极电感的低减效果
大功率GaAs FET高频输出功率的测试
大功率GaAs FET的试制
大功率GaAs FET的设计
大功率GaAs FET的试制与实测
大功率GaAs FET的性能及其应用