绪论

第一章 金属自由电子的运动分布

1.1 电子的基本性质

1.2 金属自由电子模型

1.3 金属自由电子的状态描述和态密度

1.4 费米-狄拉克（Fermi-Dirac）量子统计

1.5 金属自由电子的统计分布

第二章 固体能带的形成

2.1 孤立原子中的电子状态和能级

2.2 晶体中电子的共有化运动和能带的形成

2.3 周期场模型和布洛赫（F.Bloch）定律

2.4 准自由电子近似

2.5 电子在能带中的运动

2.6 空穴概念和能带中的能级数

第三章 半导体中的电子特性

3.1 导体和绝缘体

3.2 半导体及其性质

3.3 杂质半导体

3.4 氧化物N型和P型半导体

3.5 杂质半导体中电子的统计分布

第四章 固体接触与界面效应

4.1 金属表面势垒的形成

4.2 金属逸出功的计算及其影响的因素

4.3 金属的接触效应

4.4 金属-半导体的接触

4.5 N型与P型半导体接触的P-N结效应

4.6 固体的界面（表面）效应

4.7 表面吸附对逸出功的影响

第五章 热电子发射（TEE）

5.1 金属的热电子发射

5.2 逸出金属表面电子的性质

5.3 外电场对电子发射的影响

5.4 空间电荷对热电子发射的影响

5.5 电子初速对热发射的影响

5.6 纯金属热阴极

5.7 原子薄膜阴极

5.8 氧化物阴极的结构、材料和制备工艺

5.9 氧化物阴极的发射模型及发射公式

5.10 氧化物阴极的发射特性

5.11 其它热电子阴极

第六章 场致电子发射（FEE）

6.1 引言

6.2 场致发射机理的定性说明

6.3 金属场致发射理论

6.4 热—场致电子发射

6.5 场致发射电子的能量分布

6.6 场发射尖端的制备

6.7 场发射尖端的闪烁与重建处理

6.8 场发射尖端场强和表面发射面积的确定

6.9 尖端场发射特性的实验测量

6.10 场发射电子源虚源半径的计算与测量

6.11 实用三极场发射电子枪的虚源半径和亮度的计算

6.12 影响场发射的主要因素

6.13 空间电荷和真空电孤对场发射的影响

6.14 场致电子发射的实际应用

6.15 场发射显微镜（FEM）和场离子显微镜（FIM）

6.16 扫描隧道显微镜（STM）和原子力显微镜（AFM）

6.17 液态金属场发射离子源（LMFIS）

6.18 半导体场致发射

6.19 内场致电子发射

6.20 导体场发射的应用

第七章 次级电子发射（SEE）

7.1 次级电子发射现象

7.2 影响次级发射系数的各种因素

7.3 次级电子发射的基本性质

7.4 次级电子发射理论

7.5 次级电子发射的实验方法

7.6 实用次级发射体的制备与特性

7.7 非正常次级电子发射—Malter效应

7.8 次级电子发射的应用

7.9 利用次级电子发射测定材料逸出功

第八章 光电子发射（PEE）

8.1 光电子发射的基本规律

8.2 金属光电子发射理论

8.3 利用光电发射测定材料逸出功

8.4 半导体的光电发射

8.5 实用光电阴极的制备和特性

8.6 负电子亲和势光电阴极

附录Ⅰ 阴极温度的测量

附录Ⅱ 基本物理常数

主要参考书及参考文献