第7篇　半导体低维结构和量子器件

2.1　量子尺寸（约束）效应

2　半导体低维结构材料的基本特性

第1章　概述

1　半导体低维结构的定义

2.3　库仑阻塞效应

2.2　量子隧穿效应

3.1　分子束外延（MBE）技术

3　半导体低维结构的制备技术

2.4　量子干涉效应

2.5　二维电子气和量子霍尔（Hall）效应

4.1　近场光学显微镜

4　半导体低维结构材料的评价技术

3.2　金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术

3.3　半导体微结构材料生长和精细加工相结合的制备技术

3.4　应变自组装纳米半导体结构生长技术

4.2　显微拉曼光谱技术

5.1　低维结构半导体电子器件

5　半导体量子器件

5.2　低维结构半导体光电子器件

6　半导体低维结构材料和量子器件的发展趋势

1.2　2DEG的能级结构

1.1　二维电子（2DEG）的形成

第2章　半导体低维结构物理

1　GaAs/AlGaAs调制掺杂异质结构中的二维电子气

1.3　2DEG的面密度N？

1.4　2DEG的散射机制

1.6　量子霍尔效应

1.5　强磁场中的2DEG

2.2　量子阱的能级结构

2.1　计算电子能级结构的包络函数模型

2　量子阱和超晶格

2.3　超晶格的能级结构

2.4　量子阱、超晶格的光学性质

2.5　双势垒结构中的共振遂穿现象

3.2　量子点的电子能级结构

3.1　量子线的电子能级结构

3　量子线和量子点

3.3　量子线、量子点的光学性质

1.1　生长系统

1　金属有机气相外延

第3章　半导体低维结构材料的制备技术

1.2　原材料

1.3　生长机构

1.4　化合物半导体材料的外延生长

2　分子束外延（molecular beam epitaxy）

2.1　设备

2.2　基本原理

2.3　生长技术

2.4　MBE的衍生技术

2.5　分子束外延材料及其应用

3.1 晶格匹配GaAs/AlGaAs量子阱材料的MBE生长技术

3　半导体低维结构材料的制备方法

3.3　层状异质结构生长与精细加工相结合制备量子线、量子点结构

3.2　量子阱结构的应变异质外延生长

3.6　量子线的MBE直接生长方法

3.5　量子线的VLS生长技术

3.4　量子线、量子点的化学合成方法

3.7　应变自组装生长量子点、量子线结构

3.8　量子点的可控生长技术

1.3　工作模式

1.2　TEM结构

第4章　半导体低维结构材料的评价技术

1　透射电子显微分析技术

1.1　工作原理

1.5　应用实例

1.4　TEM制样

2.2　工作模式

2.1　工作原理

2　扫描电子显微镜技术

3.2　隧道电流谱

3.1　工作原理

2.3　SEM样品制备

2.4　应用实例

3　扫描隧道电流显微镜技术

3.4　应用实例

3.3　半导体样品的制备和处理

4.2　AFM工作模式

4.1　工作原理

4　原子力显微镜（AFM）测试技术

5.1　工作原理

5　X射线散射（XRD）技术

4.3　针尖效应

4.4　AFM的应用

5.2　X散射技术的种类

5.4　应用

5.3　倒格子空间的扫描模式

6.2　实验装置

6.1　工作原理

6　光荧光谱和荧光激发光谱技术

6.4　应用实例

6.3　空间分辨PL谱技术

7.2　RHEED的应用

7.1　工作原理

7　反射高能电子衍射

8.1　工作原理

8　反射差分谱

8.2　应用实例

1　场效应器件

第5章　半导体高频、高速微电子器件及其应用

1.2　GaAs HEMT

1.1　GaAs MESFET

1.3　InP HEMT器件

1.4　MHEMT（Metamorphic Electron Mobility Transistor，变晶格高电子迁移率晶体管）

1.6　GaN HEMT

1.5　InAs HEMT

2　异质结双极晶体管（HBT）

2.1　GaAs HBT

2.2　InP HBT

2.3　MHBT（Metamorphic Heterojuction Bipolar Transistor，变晶格异质结双极晶体管）

2.5　SiGe HBT

2.4　InAs HBT

2.6　GaN-Based HBT

1　量子阱中电子的能量状态和状态密度分布

第6章　半导体量子阱激光器

2　量子阱的光学增益

3.4　偏振选择特性

3.3　温度特性

3　量子阱激光器的特性

3.1　阈值电流特性

3.2　光谱线宽特性

4.1　晶格失配与应变

4　应变量子阱激光器

3.5　动态特性

4.2　应变量子阱能带结构

4.3　应变量子阱增益

4.4　应变量子阱激光器

5.2　MBE

5.1　MOCVD

5　量子阱激光器的制备技术

6.2　光存储

6.1　光纤通信

6　半导体量子阱激光器的应用

6.4　气体探测

6.3　激光二极管泵浦固体激光器（DPSS）

6.5　低维量子限制激光器

1.1　工作原理

1　量子阱红外探测器

第7章　新型半导体量子器件

1.2　GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器性能

1.4　多色量子阱红外探测器

1.3　热电子晶体管探测器

1.5　量子点红外探测器

1.7　FPA应用

1.6　焦平面阵列（FPA）

2　量子级联激光器

2.1　量子级联激光器的工作原理

2.2　量子级联激光器的结构与特性

2.3　量子级联激光器的应用

2.4　量子级联激光器研究的新进展

3　垂直腔面发射激光器

3.1　VCSEL结构

3.2　VCSEL基本特性

3.3　各类VCSEL

4.1　量子点激光器的特性

4　量子点激光器

4.4　GaAs基长波长量子点激光器

4.3　量子点激光材料的外延生长

4.2　量子点激光器的结构

参考文献

第8篇　存储材料

1　光盘存储技术的发展

第1章　概述

3.1　光学全息存储材料

3　超高密度光存储材料

2　高密度光盘存储材料

2.1　可录型光盘存储材料

2.2　相变型光盘存储材料

3.4　光子选通光存储材料

3.3　电子俘获光存储材料

3.2　近场光存储材料

4.1　磁性存储材料

4　磁性和磁光存储材料

3.5　双光子吸收光存储材料

3.6　多波长多阶光存储材料

4.4　光磁混合存储材料

4.3　磁光盘存储材料

4.2　磁记录磁头材料

5　非易失性存储材料

1　CD-R光盘存储材料

第2章　可录光盘存储材料

1.1　CD-R光盘存储材料概述

1.2　CD-R光盘存储材料的光谱性质

1.4　CD-R光盘存储材料的热学性质

1.3　CD-R光盘存储材料的光学常数

1.5　CD-R光盘的记录性能测试主要参数

2　DVD-R光盘存储材料

2.1　DVD-R光盘存储材料概述

2.3　DVD-R光盘存储材料的光学常数

2.2　DVD-R光盘存储材料的光谱性质

2.5　DVD-R光盘的记录性能测试主要参数

2.4　DVD-R光盘存储材料的热学性质

2.6　可录光盘存储数据寿命预测

3.1　无机蓝光可录光存储材料

3　蓝光可录光盘存储材料

3.2　有机蓝光可录光存储材料

1　相变光存储原理

第3章　相变光存储材料

2.2　反射率对比度

2.1　对激光的响应

2　相变光存储材料的重要性质

2.3　擦除速度和稳定性

2.4　写／擦循环性能

3.1　Ge-Sb-Te三元化合物

3　重要的相变光存储材料体系

3.2　In-Ag-Sb-Te四元合金

3.3　其他相变光存储材料

4.1　掺杂金属元素

4　相变光存储材料的掺杂改性

5.1　近场光存储

5　超高密度相变光存储

4.2　掺杂气体元素

5.3　超分辨近场结构

5.2　超分辨技术

1.3　全息存储的分类

1.2　全息存储的特点

第4章　光学全息存储材料

1　光学全息存储的基本原理

1.1　基本原理

2.3　定影过程

2.2　卤化银全息记录材料的显影

1.4　全息存储记录材料的性能表征

1.5　全息存储对记录材料的要求

2　卤化银乳胶全息记录材料

2.1 卤化银乳胶全息记录材料的构成和光化学反应原理

4　光致聚合物

3.3　性能特点及其应用

2.4　漂白过程

3　重铬酸盐明胶（DCG）

3.1　重铬酸盐明胶的光化学反应原理

3.2　处理方法

4.3　光聚物的高密度全息记录特性

4.2　光致聚合物的构成

4.1　光致聚合物全息存储的机理

5　光折变晶体

4.4　光致聚合物的高密度全息存储特性

5.3　光折变晶体的分类

5.2　光折变全息图的挥发和固定

5.1　光折变晶体产生光折变效应的原理

6.2　以惰性聚合物为基体的系统

6.1　非线性聚合物为基体的系统

5.4　铌酸锂晶体的生长与性能

6　光折变聚合物

6.4　玻璃态和全功能型光折变聚合物材料

6.3　以电荷传输体聚合物为基体的系统

8.3　材料的全息性能

8.2　光导热塑材料的成分

6.5　液晶光折变聚合物材料

7　光致变色材料

7.1　光致变色材料的光致变色机理

7.2　光致变色材料的全息性能

8　光导热塑材料

8.1　光导热塑材料的全息记录机理

9.4　硫族化合物玻璃

9.3　磁光薄膜

9　其他存储材料

9.1　光致抗蚀剂

9.2　金属薄膜

1　近场光存储的实现途径

第5章　近场光存储材料

2.1　一次写入型近场光存储材料

2　近场光存储材料

2.2　磁光可擦写型近场光存储材料

2.3　相变可擦写型近场光存储材料

2.4　光致变色可擦写型近场光存储材料

3　超分辨近场结构中的掩膜材料

2　电子俘获材料的制备

1　电子俘获光存储原理

第6章　电子俘获光存储材料

3.1　光谱特性

3　电子俘获光存储材料的特性

3.3　写入和擦除特性

3.2　写入和读出相对效率与温度的关系

4.5　数据传输速率

4.4　存储信息的稳定性

4　电子俘获光存储系统

4.1　电子俘获光盘驱动器

4.2　多进制存储

4.3　破坏性读出

4.6　应用

1.1　Sm2＋掺杂PGSHB无机材料体系

1　无机材料

第7章　光子选通光存储材料

2.1　卟啉类化合物

2　有机材料

1.2　EU2＋掺杂玻璃体系

2.2　有机聚合物

1　双光子激发光致变色材料

第8章　双光子吸收光存储材料

3　双光子激发光致氧化材料

2　双光子激发光致聚合材料

4　双光子激发光致荧光漂白材料

5　双光子激发光折变材料

第9章　多波长多阶光存储材料

1　二芳基乙烯光致变色材料

4　其他材料

3　胆甾醇型液晶材料

2　螺吡喃光致变色材料

2　磁记录材料综述

1.2　数字式磁记录

第10章　磁性存储材料

1　磁记录过程简介

1.1　模拟式磁记录

3.3　CrO2磁粉

3.2　包钴的γ－Fe2 O3磁粉

3　水平磁记录磁粉材料

3.1　γ－Fe2 O3磁粉

4.2　高密度水平磁记录连续薄膜介质的制备

4.1　高密度化对记录介质的要求

3.4　金属磁粉

4　水平磁记录连续薄膜及介质

4.3　超高密度水平磁存储薄膜介质

5.3　垂直磁记录用的钡铁氧体涂布介绍

5.2　垂直磁记录介质

5　垂直磁记录及存储材料

5.1　高密度（短波长）记录中出现的问题

5.4　垂直磁记录用的CoCr合金膜

5.5　磁头与介质的磁相互作用

5.6　垂直磁记录介质的研究进展

第11章　磁头材料

2　环形磁头的性能指标

1　环形磁头的工作原理

4　薄片合金磁芯磁头

3　对磁芯材料的要求

5　铁氧体材料的制备和性能

6　铁氧体磁头的应用

7　薄膜磁头

9　溅射薄膜

8　电镀薄膜磁头材料

10　磁电阻读出头材料

11　巨磁电阻效应及其应用

12　磁性隧道结

1　磁光光盘存储技术

第12章　磁光光盘存储材料

2.1　稀土－过渡族金属非晶态材料

2　磁光光盘存储材料

2.2　金属合金铁磁性磁光多晶薄膜

2.3　氧化物系列磁光存储薄膜

2.4　光磁混合记录技术

1　热辅助磁记录技术（HAMR）

第13章　光磁混合存储及其材料

2　热辅助磁记录技术的特性

3　热辅助磁存储介质材料

4　热辅助磁存储磁头设计

5　总结和展望

1.1　OUM的研究历程和现状

1　相变随机存储材料

第14章　非易失性存储材料

1.2　OUM的读写擦原理

1.3　相变随机存储材料

1.4　OUM的发展趋势

2.1　MRAM的读写原理

2　磁阻随机存储材料

2.3　巨磁阻存储材料

2.2　MRAM的发展概况和现状

2.4　MRAM的发展趋势

3.2　FeRAM的存储原理

3.1　FeRAM的发展概况和现状

3　铁电随机存储材料

3.4　FeRAM集成工艺

3.3　铁电存储材料

3.5　FeRAM的可靠性分析

参考文献

第9篇　显示材料

1.1　电子束激励荧光粉发光的物理过程

1　荧光粉的发光机理

第1章　荧光粉显示技术

1.2　荧光粉的发光中心

2.1　Ⅱb－Ⅳb族化合物

2　阴极射线激励发光的主要荧光粉的发光机理及其光学性质

2.2　发光中心是稀土离子的荧光粉

3.1　合成的通用工艺

3　荧光粉的合成与处理工艺

3.2　表面处理

3.3　彩色CRT荧光粉的后处理工艺

3.5　荧光粉的涂覆工艺

3.4　彩色CRT用荧光粉的制备工艺

4.1　阴极射线管的结构和原理

4　阴极射线管用荧光粉

4.4　其他类型CRT

4.3　示波用CRT

4.2　彩色CRT

4.5　CRT对荧光粉的一般要求

4.6　实用CRT荧光粉

4.7　CRT荧光粉型号的命名体系

5.3　VFD对荧光粉的要求

5.2　VFD器件的结构和工作原理

5　真空荧光显示用荧光粉

5.1　真空荧光显示器件

5.4　VFD器件用荧光粉

6.2　场致发射体的制造工艺

6.1　FED的结构与工作原理

6　场致发射显示（FED）用荧光粉

7.1　X射线增强屏

7　X射线激发的荧光粉

6.3　FED用荧光粉

7.2　X射线像增强器用的荧光粉

8.1　等离子体显示板（PDP）

8　等离子体显示用荧光粉

7.3　X射线荧光屏用荧光粉

8.3　发光机理

8.2　放电气体

8.4　真空紫外荧光粉和它们的特性

8.5　彩色PDP显示的特性

1.1　液晶的概念及分类

1　液晶材料和其他辅助材料

第2章　液晶材料和液晶显示技术

1.4　液晶的化学结构与物理性质

1.3　液晶的热力学性质

1.2　液晶的相结构

1.5　显示对液晶材料的性能要求

1.6　显示用液晶材料

1.7　液晶显示用其他原材料

2.1　扭曲向列液晶显示

2　液晶显示的基本原理

2.2　超扭曲向列液晶显示

2.3　有源矩阵液晶显示

2.4　宾－主型液晶显示

2.5　胆甾－向列相变型液晶显示

2.6　铁电液晶显示

2.7　聚合物分散型液晶显示

1.1　特点和应用

1　有机电致发光显示技术

第3章　有机电致发光显示

1.3　制备工艺

1.2　结构和原理

2　有机电致发光显示材料分类

1.4　彩色化技术

3.1　空穴传输材料

3　小分子有机电致发光材料

3.2　电子传输材料

3.3　发光材料

4.2　PPV及其衍生物

4.1　聚合物电致发光材料的分类

3.4　其他小分子材料

4　聚合物有机电致发光材料

4.4　聚烷基芴（PAF）

4.3　聚苯及其衍生物

5.1　材料纯度

5　有机电致发光材料性能参数

4.5　聚噻吩及其衍生物

4.6　聚乙烯咔唑及其他

4.7　聚苯胺阳极和柔性基片

6　有机电致发光器件性能参数

5.5　成膜性能

5.2　发光性能和荧光量子效率

5.3　热稳定性能

5.4　能级结构

1.2　粉末型交流电致发光显示器件（ACPEL）

1.1　无机EL的特点

第4章　无机电致发光和电子纸显示技术

1　无机电致发光显示技术

1.4　无机EL材料

1.3　薄膜型交流电致发光显示器件（ACTFEL）

2　电子纸显示技术

1.5　新型无机EL技术

2.1　器件结构及工作原理

2.2　电泳显示材料

参考文献

第10篇　通信光纤材料及其工艺

2　光纤导光和光纤通信的原理

1　通信光纤的发展历史和应用现状

第1章　概述

3　光纤的制造

5　光纤的接续和光缆

4　光纤的损失

2.1　单模传输的条件

2　单模光纤的传输理论

第2章　通信光纤的传输理论和设计

1　多模光纤的传输理论

2.2　偏振的概念

2.3　单模光纤的色散

3　常规单模光纤的设计

2.4　色散位移光纤

4　色散位移单模光纤的设计

5　色散补偿光纤的设计

6.2　特种截止光纤

6.1　抗弯光纤

6　其他一些特种光纤的设计

7　多模光纤的设计

2.1　材料对光纤衰减的影响

2　光纤材料对光纤特性的影响

第3章　光纤原材料

1　光纤材料概述

2.2　材料和传输带宽的关系

3.2　对光纤原材料纯度的要求

3.1　主要原材料及其物化性能

3　石英玻璃光纤所用原材料

4.1　高纯试剂制备和提纯技术简介

4　石英玻璃光纤材料的制备工艺和提纯技术

3.3　石英光纤制造工艺中采用的新原材料

4.2　光纤用主要原材料提纯工艺

4.3　光纤用气体原料的纯化

5.2　含氢化合物的检测

5.1　金属杂质离子的检测

5　石英玻璃光纤原材料的纯度检测

5.4　高纯气体纯度测试仪表

5.3　高纯气体的纯度检测方法

6　高纯气体的储藏、输送

2.1　MCVD工艺及设备

2　芯棒工艺及设备

第4章　预制棒的各种制作工艺及其设备

1　概述

2.2　OVD工艺及设备

2.3　VAD工艺及设备

2.4　PCVD工艺及设备

3.1　套管法

3　外包层工艺及其设备

3.2　粉末外包层法

3.3　等离子体外包层法

4.1　溶胶－凝胶工艺原理

4　溶胶－凝胶预制棒工艺及设备

4.2　溶胶－凝胶工艺在光纤制造中的应用

1.4　光纤拉制工艺过程

1.3　光纤的成形机理

第5章　光纤拉制工艺与设备

1　光纤成形机理及拉制工艺

1.1　玻璃的特性

1.2　玻璃的转变

2.2　涂覆阶段对性能的影响

2.1　光纤成形阶段对性能的影响

2　光纤拉制过程对光纤性能的影响

3.1　拉丝设备组成及其功能

3　拉制工艺对设备的要求

3.2　高温炉

3.4　牵引、卷绕装置

3.3　涂覆系统

3.6　套管拉丝技术

3.5　强度筛选机

1.1　光纤松套工艺及其设备

1　光纤套塑工艺及其设备

第6章　套塑成缆工艺及其设备

1.2　紧套工艺

2.1　光缆的绞合工艺

2　光缆成缆工艺

2.2　光缆的护套工艺

1.2　单模光纤的特性

1.1　多模光纤的特性

第7章　光纤的特性、标准及其测试方法

1　光纤的特性

2.1　ITU-T的建议

2　有关光纤和光缆的国际、国内标准

2.3　中华人民共和国国家标准

2.2　IEC有关光纤和光缆的国际标准

2.6　单模光纤参数的标准值（或建议值）

2.5　国际、国内标准中光纤类别对照

2.4　国内通信行业标准

3　特性参数的测量方法

2.7　多模光纤参数的标准值（或建议值）

3.1　单模光纤的测量方法

3.2　多模光纤的测量方法

2.1　单模光纤连接损耗分析

2　光纤接续的损耗

第8章　光纤的接续

1　概述

3　光纤的永久连接

2.2　多模光纤连接损耗分析

3.2　光纤的熔接

3.1　光纤端面的制备

3.3　光纤的机械连接

4.2　几种基本光纤活动连接器简介

4.1　光纤活动连接器基本原理和结构

4　光纤的活动连接

5　总结与展望

2　保偏光纤

1　色散补偿光纤

第9章　特种光纤

3.2　掺镱光纤

3.1　掺铒光纤

3　掺稀土离子光纤

4.2　光子晶体光纤

4.1　光子晶体

3.3　掺铥光纤

4　光子晶体光纤

5　其他特种光纤

1　通信光纤的技术发展动向

第10章　展望——通信光纤的技术发展动向及应用前景

2　应用前景

参考文献

第11篇　全固态激光器及相关材料

第1章　概述

1　光纤的分类

第2章　激光光纤的材料及其制备

3.1　氟化物玻璃光纤

3　多组分光学玻璃光纤及其制备方法

2　光纤材料要求

4　低水峰石英光纤

3.2　硫属化合物玻璃光纤

4.2　低水峰石英光纤预制棒制造

4.1　掺杂、纤芯和包层

4.3　光纤拉制

5.1　玻璃基质中的稀土离子

5　用于放大器和激光器的掺杂光纤

5.2　掺杂光纤的制造与特性测量

5.3　掺杂光纤的特性参数

6.2　塑料光纤设计及制备

6.1　塑料光纤的优点

6　塑料光纤

6.4　发展展望

6.3　塑料光纤制备的关键技术

7.3　光子晶体光纤的特性及应用

7.2　光子晶体光纤的导光机理

7　光子晶体光纤

7.1　光子晶体光纤的制备

7.4　光子晶体光纤的研究方法

1　红宝石

第3章　激光晶体材料及其制备

2　Nd∶YAG

3　Yb3＋∶YAG

4　Nd3＋∶YVO4激光晶体

5　Nd∶GGG激光晶体

6　Nd∶YLF

7　掺钛蓝宝石（Ti3＋∶Al2O3）激光晶体

8　紫翠绿宝石（BeAl2 O4∶Cr3＋）

9　激光自倍频晶体

10　激光晶体的制备

1.1　大功率半导体激光器单管的发展

1 半导体激光器的发展与应用

第4章　大功率半导体激光器的发展与应用

1.2　大功率半导体激光器列阵的发展

1.3　大功率半导体激光器的应用

2.1　大功率半导体激光器外延结构的设计

2　大功率半导体激光器件结构

2.2　大功率半导体激光器的横向结构设计

2.3　大功率半导体激光器的纵向结构设计

2.4　大功率半导体激光器的散热结构

3.2　大功率半导体激光器的材料生长

3.1　大功率半导体激光器的材料及其特性

3　大功率半导体激光器的材料生长及器件制作

3.3　大功率半导体激光器的器件制作

1　低温相偏硼酸钡

第5章　非线性光学晶体及其制备

1.4　在OPO和OPA中的应用

1.3　钛宝石激光和Alexandrite激光倍频

1.1　Nd∶YAG激光倍频

1.2　超快脉冲激光倍频

2　三硼酸锂

1.5　在电光调制中的应用

3　氟代硼铍酸钾

4　三硼酸铯

5　硼酸铯锂

6　磷酸氧钛钾

7.1　准相位匹配原理

7　准相位匹配技术和周期极化铌酸锂晶体

7.2　铌酸锂极化过程

8　铌酸钾

7.3　主要应用情况

9　非线性光学晶体的制备

参考文献

第12篇　稀土磁性材料与自旋电子材料

1.1　永磁材料的磁参量

1　概述

第1章　稀土永磁材料

1.2　稀土永磁材料的发展概况

1.3　稀土永磁材料的种类及特点

1.5　稀土永磁合金的晶体结构和内禀磁性能

1.4　稀土永磁材料的功能特性及其与高新技术的关系

2　烧结稀土永磁材料

2.1　1∶5型稀土钴永磁材料

2.2　2∶17型稀土钴永磁材料

2.3　Nd-Fe-B系永磁材料

3.2　黏结稀土永磁材料的种类及制备工艺

3.1　黏结稀土永磁材料的特点

3　黏结稀土永磁材料

3.3　磁粉的主要制备方法

3.4　商用黏结稀土永磁材料

3.5　新型黏结稀土铁系永磁材料

第2章　磁制冷与磁蓄冷材料

1　磁卡效应热力学基础

2　顺磁盐

3.1　稀土金属

3　稀土金属与合金

3.2　稀土合金

4.1　稀土－Al合金

4　含稀土金属间化合物

4.2　稀土－Ni合金

4.4　稀土－Co合金

4.3　稀土－Fe合金

5.1　Gd5（Six Gel-x）合金

5　稀土与非磁性元素合金

5.2　Gdx R5-x Si4合金

6.2　钙钛矿结构

6.1　石榴石

5.3　LaFe11.2 CO0.7 Si1.1合金

6　稀土氧化物

7　非稀土磁制冷材料

9　磁性蓄冷材料

8　小制冷机磁蓄冷器

1.2　磁致伸缩应变的描述

1.1　磁致伸缩

第3章　稀土巨磁致伸缩材料

1　磁致伸缩现象与磁致伸缩材料

2.2　巨磁致伸缩材料与高技术的关系

2.1　磁致伸缩材料的功能特性

1.3　磁弹性能

1.4　磁致伸缩的逆效应

1.5　磁致伸缩材料

2　巨磁致伸缩材料的功能特性及其与高新技术的关系

3.2　磁致伸缩驱动棒的能量转换原理和磁机械耦合系数k33

3.1　磁致伸缩材料的应用原理

3　磁致伸缩材料应用原理及其应用对材料性能的要求

3.3　使用对磁致伸缩材料性能的要求

4.1　磁致伸缩材料的发展

4　磁致伸缩材料的发展及分类

5.1　Tb-Fe、Dy-Fe、Sm-Fe二元系相图

5　RFe2系材料的相图，稀土铁化合物的结构与内禀磁特性

4.2　磁致伸缩材料的分类

5.3　R-Fe二元化合物的晶体结构和磁致伸缩

5.2　Tb-Dy的二元相图

6　(Tb,Dy)Fe2合金系磁晶各向异性的相互补偿

7.1　熔体定向凝固制造单晶或取向多晶材料的技术

7　Tbx Dyl-x Fe2稀土巨磁致伸缩材料的制备与晶体生长原理

7.2　熔体定向凝固制备轴向取向柱晶材料的原理

7.3　Tb-Dy-Fe区熔定向凝固时轴向择优生长方向

8.2　非取向多晶与取向多晶体的磁致伸缩应变

8.1　Tb-Dy-Fe合金晶体磁致伸缩应变的各向异性

8　Tb-Dy-Fe合金的晶体定向凝固晶体轴向取向与商品巨磁致伸缩材料

8.4　Tb-Dy-Fe合金的［110］轴向取向的磁致伸缩应变λ110

8.3　Tb-Dy-Fe合金的［112］轴向取向的磁致伸缩应变λ112

8.5　商品稀土巨磁致伸缩材料及其特性

9.1 Tb-Dy-Fe三元合金的相图和相组成

9　稀土巨磁致伸缩材料（Tb,Dy）Fey的显微结构

9.3　重稀土元素Tb和Dy在组成相中的分布

9.2 Tb0.27-0.35 Dy0.73-0.65 Fe1.95合金铸态的显微组织

9.4　Tb-Dy-Fe磁致伸缩材料的晶体缺陷

10.2　热处理前后材料的显微组织结构的变化

10.1　一般热处理

10　稀土巨磁致伸缩材料Tb-Dy-Fe的热处理

10.3　磁场热处理

11.2　磁化过程与磁致伸缩应变

11.1　Tb-Dy-Fe的畴结构

11　Tb-Dy-Fe的畴结构与磁化过程

12.1　预压应力的大小对λ～H曲线的影响

12　预压应力与磁致伸缩材料的性能

12.3　三种轴向取向样品形成90°畴结构所需的预压应力

12.2　预压应力的大小对k33曲线的影响

15.1　λ的测量

15　Tb-Dy-Fe材料的性能测量

16　巨磁致伸缩材料的应用

15.2　k33的测量

15.3　弹性模量E与声速v的测量

15.4　磁导率μ的测量

16.1　巨磁致伸缩材料的应用范围

16.2　巨磁致伸缩材料的应用设计

第4章　磁光存储材料

1　磁光存储技术的发展进程

2　磁光存储的物理基础和对材料性能的要求

2.1　磁光存储原理

2.2　磁光记录读出原理

2.3　对磁光存储材料的基本要求

3　磁光存储材料

3.1　稀土－过渡族金属非晶态材料

14　Tb-Dy-Fe材料的稳定性

13　其他巨磁致伸缩材料

14.1　化学稳定性

14.2　环境稳定性

3.2　金属合金铁磁性磁光多晶薄膜

3.3　氧化物系列磁光存储薄膜

4.3　光磁混合记录材料

4.2　光磁混合记录的记录和读出原理

4　光磁混合记录技术

4.1　研究光磁混合记录的背景

1.1 巨磁电阻效应的简单图像——双电流模型

1　磁性多层膜的巨磁电阻效应

第5章　巨磁电阻材料

1.2　巨磁电阻效应物理学

2　隧穿巨磁电阻效应

3　材料和应用

4.1　自旋相关散射

4　磁性颗粒膜的巨磁电阻效应

1.1　晶体结构和磁结构

1　钙钛矿锰氧化物的庞磁电阻效应

第6章　庞磁电阻材料

1.2　磁性相图

1.3　理论概述

1.4　输运性质和磁电阻效应

1.5　非本征磁输运现象

1.6　相分离

2 Fe3 O4的庞磁电阻效应

1　稀释磁性半导体的磁性

第7章　稀释磁性半导体材料

2　自旋的注入

2.2　注入自旋

2.1　创造自旋极化载流子－光学激发

3　自旋的输运

2.4　自旋弛豫

2.3　自旋极化的探测

4.2　基于稀磁半导体材料的自旋功能器件

4.1　稀磁半导体材料的性能

4　稀磁半导体材料的性能和应用

5.1 (Ga,Mn)P

5　高居里温度稀磁半导体材料

5.3 (Zn,Mn)O

5.2 (Ga,Mn)N

参考文献