第1章 模拟电路设计绪论

1.1研究模拟电路的重要性

1.2研究模拟集成电路的重要性

1.3研究CMOS模拟集成电路的重要性

1.4本书的特点

1.5电路设计的一般概念

1.5.1抽象级别

1.5.2鲁棒模拟电路设计

1.5.3符号

第2章 MOS器件物理基础

2.1基本概念

2.1.1 MOSFET开关

2.1.2 MOSFET的结构

2.1.3 MOS符号

2.2 MOS的I/V特性

2.2.1阈值电压

2.2.2 I/V特性的推导

2.3二级效应

2.4 MOS器件模型

2.4.1 MOS器件版图

2.4.2 MOS器件电容

2.4.3 MOS小信号模型

2.4.4 MOS SPICE模型

2.4.5 NMOS与PMOS器件的比较

2.4.6长沟道器件与短沟道器件的比较

附录A：用作电容器的MOS器件的特性

习题

第3章 单级放大器

3.1基本概念

3.2共源级

3.2.1采用电阻负载的共源级

3.2.2采用二极管连接的负载的共源级

3.2.3采用电流源负载的共源级

3.2.4工作在线性区的MOS为负载的共源级

3.2.5带源极负反馈的共源级

3.3源跟随器

3.4共栅级

3.5共源共栅级

3.5.1折叠式共源共栅

3.6器件模型的选择

习题

第4章 差动放大器

4.1单端与差动的工作方式

4.2基本差动对

4.2.1定性分析

4.2.2定量分析

4.3共模响应

4.4 MOS为负载的差动对

4.5吉尔伯特单元

习题

第5章 无源与有源电流镜

5.1基本电流镜

5.2共源共栅电流镜

5.3有源电流镜

5.3.1大信号分析

5.3.2小信号分析

5.3.3共模特性

习题

第6章 放大器的频率特性

6.1概述

6.1.1密勒效应

6.1.2极点与结点的关联

6.2共源极

6.3源跟随器

6.4共栅级

6.5共源共栅级

6.6差动对

附录A：密勒定理的对偶

习题

第7章 噪声

7.1噪声的统计特性

7.1.1噪声谱

7.1.2幅值分布

7.1.3相关噪声源和非相关噪声源

7.2噪声类型

7.2.1热噪声

7.2.2闪烁噪声

7.3电路中的噪声表示

7.4单级放大器中的噪声

7.4.1共源级

7.4.2共栅级

7.4.3源跟随器

7.4.4共源共栅级

7.5差动对中的噪声

7.6噪声带宽

习题

第8章 反馈

8.1概述

8.1.1反馈电路的特性

8.1.2放大器的种类

8.1.3检测和返回机制

8.2反馈结构

8.2.1电压-电压反馈

8.2.2电流-电压反馈

8.2.3电压-电流反馈

8.2.4电流-电流反馈

8.3负载的影响

8.3.1二端口网络模型

8.3.2电压-电压反馈中的负载

8.3.3电流-电压反馈中的负载

8.3.4电压-电流反馈中的负载

8.3.5电流-电流反馈中的负载

8.3.6负载影响小结

8.4反馈对噪声的影响

习题

第9章 运算放大器

9.1概述

9.1.1性能参数

9.2一级运放

9.3两级运放

9.4增益的提高

9.5性能比较

9.6共模反馈

9.7输入范围限制

9.8转换速率

9.9电源抑制

9.10运放的噪声

习题

第10章 稳定性与频率补偿

10.1概述

10.2多极点系统

10.3相位裕度

10.4频率补偿

10.5两级运放的补偿

10.5.1两级运放中的转换

10.6其它补偿技术

习题

第11章 带隙基准

11.1概述

11.2与电源无关的偏置

11.3与温度无关的基准

11.3.1负温度系数电压

11.3.2正温度系数电压

11.3.3带隙基准

11.4 PTAT电流的产生

11.5恒定Gm偏置

11.6速度与噪声问题

11.7实例分析

习题

第12章 开关电容电路

12.1概述

12.2采样开关

12.2.1 MOSFETs开关

12.2.2速度问题

12.2.3精度问题

12.2.4电荷注入抵消

12.3开关电容放大器

12.3.1单位增益采样器/缓冲器

12.3.2同相放大器

12.3.3精确乘2电路

12.4开关电容积分器

12.5开关电容共模反馈

习题

第13章 非线性与不匹配

13.1非线性

13.1.1概述

13.1.2差动电路的非线性

13.1.3负反馈对非线性的影响

13.1.4电容器的非线性

13.1.5线性化技术

13.2不匹配

13.2.1失调消除技术

13.2.2用失调消除来降低噪声

13.2.3 CMRR的另一种定义

习题

第14章 振荡器

14.1概述

14.2环形振荡器

14.3 LC振荡器

14.3.1交叉耦合振荡器

14.3.2科尔皮兹振荡器

14.3.3单端口振荡器

14.4压控振荡器

14.4.1环形振荡器调节

14.4.2 LC振荡器的调节

14.5 VCO的数学模型

习题

第15章 锁相环

15.1简单的锁相环

15.1.1鉴相器

15.1.2基本的PLL结构

15.1.3简单锁相环的动态特性

15.2电荷泵锁相环

15.2.1锁定捕获的问题

15.2.2鉴相/鉴频器和电荷泵

15.2.3基本的电荷泵锁相环

15.3锁相环中的非理想效应

15.3.1 PFD/CP的非理想性

15.3.2锁相环中的抖动现象

15.4延迟锁相环

15.5应用

15.5.1频率倍增和合成

15.5.2歪斜的减小

15.5.3抖动的减小

习题

第16章 短沟道效应与器件模型

16.1按比例缩小理论

16.2短沟道效应

16.2.1阈值电压的变化

16.2.2垂直电场引起的迁移率退化

16.2.3速度饱和

16.2.4热载流子效应

16.2.5漏-源电压引起的输出阻抗的变化

16.3 MOS器件模型

16.3.1 Level 1模型

16.3.2 Level 2模型

16.3.3 Level 3模型

16.3.4 BSIM系列模型

16.3.5其它模型

16.3.6电荷和电容模型

16.3.7温度特性

16.4工艺角

16.5数字世界中的模拟设计

习题

第17章 CMOS工艺技术

17.1概述

17.2晶片工艺

17.3光刻

17.4氧化

17.5离子注入

17.6淀积与刻蚀

17.7器件制造

17.7.1有源器件

17.7.2无源器件

17.7.3互连

17.8闩锁效应

习题

第18章 版图与封装

18.1版图概述

18.1.1设计规则

18.1.2天线效应

18.2模拟电路的版图技术

18.2.1叉指晶体管

18.2.2对称性

18.2.3参考源的分布

18.2.4无源器件

18.2.5连线

18.2.6焊盘与静电放电保护

18.3衬底耦合

18.4封装

习题

英中词汇对照