主页 详情

《半导体物理学》_刘恩科,朱秉升,罗晋生等编著_10900680_7560510108

【书名】:《半导体物理学》
【作者】:刘恩科,朱秉升,罗晋生等编著
【出版社】:西安:西安交通大学出版社
【时间】:1998
【页数】:386
【ISBN】:7560510108
【SS码】:10900680

最新查询

内容简介

目 录

主要参数符号表

第1章半导体中的电子状态

1.1半导体的晶格结构和结合性质

1.2半导体中的电子状态和能带

1.3半导体中电子的运动有效质量

1.4本征半导体的导电机构空穴

1.5回旋共振

1.6硅和锗的能带结构

1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构

1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构

习题

参考资料

2.1硅、锗晶体中的杂质能级

第2章半导体中杂质和缺陷能级

2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级

2.3缺陷、位错能级

习题

参考资料

第3章半导体中载流子的统计分布

3.1状态密度

3.2费米能级和载流子的统计分布

3.3本征半导体的载流子浓度

3.4杂质半导体的载流子浓度

3.5一般情况下的载流子统计分布

3.6简并半导体

补充材料:电子占据杂质能级的概率

习题

参考资料

4.1载流子的漂移运动迁移率

第4章半导体的导电性

4.2载流子的散射

4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系

4.4电阻率及其与杂质浓度和温度的关系

4.5玻耳兹曼方程 电导率的统计理论

4.6强电场下的效应热载流子

4.7多能谷散射耿氏效应

习题

参考资料

第5章非平衡载流子

5.1非平衡载流子的注入与复合

5.2非平衡载流子的寿命

5.3准费米能级

5.4复合理论

5.5陷阱效应

5.6载流子的扩散运动

5.7载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式

5.8连续性方程式

习题

参考资料

第6章p-n结

6.1 p-n结及其能带图

6.2 p-n结电流电压特性

6.3 p-n结电容

6.4 p-n结击穿

6.5 p-n结隧道效应

习题

参考资料

第7章金属和半导体的接触

7.1金属半导体接触及其能级图

7.2金属半导体接触整流理论

7.3少数载流子的注入和欧姆接触

参考资料

习题

第8章半导体表面与MIS结构

8.1 表面态

8.2表面电场效应

8.3 MIS结构的电容-电压特性

8.4硅-二氧化硅系数的性质

8.5表面电导及迁移率

8.6表面电场对p-n结特性的影响

习题

参考资料

第9章异质结

9.1异质结及其能带图

9.2异质结的电流输运机构

9.3异质结在器件中的应用

9.4半导体超晶格

习题

参考资料

第10章半导体的光学性质和光电与发光现象

10.1半导体的光学常数

10.2半导体的光吸收

10.3半导体的光电导

10.4半导体的光生伏特效应

10.5半导体发光

10.6半导体激光

习题

参考资料

第11章半导体的热电性质

11.1热电效应的一般描述

11.2半导体的温差电动势率

11.3半导体的珀耳帖效应

11.4半导体的汤姆孙效应

11.5半导体的热导率

习题

11.6半导体热电效应的应用

参考资料

第12章半导体磁和压阻效应

12.1霍耳效应

12.2磁阻效应

12.3磁光效应

12.4量子化霍耳效应

12.5热磁效应

12.6光磁电效应

12.7压阻效应

12.8声波和载流子的相互作用

习题

参考资料

第13章非晶态半导体

13.1非晶态半导体的结构

13.2非晶态半导体中的电子态

13.3非晶态半导体中的缺陷、隙态与掺杂效应

13.4非晶态半导体中的电学性质

13.5非晶态半导体中的光学性质

13.6a-Si:H的p-n结与金-半接触特性

参考资料

附录

附录1 常用物理常数和能量表达变换表

附表1-1常用物理常数表

附表1-2能量表达变换表

附录2半导体材料物理性质表

附表2-1 Ⅳ族半导体材料的性质

附表2-2 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的性质

附表2-3 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的性质

附表2-4Ⅳ-Ⅵ族半导体材料的性质

附表2-5 Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的性质

参考资料


书查询(www.shuchaxun.com)本网页唯一编码:
16597068aa5956f6af1e66ed24fbbf3a#1a9de6035d901b409955d9516afacf07#36340136#10900680.zip