目录

第一章　可控硅元件的电压

1-1　半导体的导电机构和PN结的形成

1-2　PN结的反向电压和硅单晶材料的关系

1-3 电流放大系数和可控硅元件的电压

1-4　可控硅元件长、短基区的设计估算

1-5　可控硅元件的高温特性

1-6　磨角与保护

2-1　可控硅元件控制极触发导通的原理

第二章　可控硅元件的控制极参数

2-2　控制极电压和电流的估算

第三章　可控硅元件的通态特性

3-1　硅整流元件的正向工作情况

3-2　可控硅元件的导通状态

3-3　通态压降的计算及其讨论

3-4　可控硅元件的电流容量和电流过载能力

第四章　可控硅元件的动态特性

4-1　可控硅元件的开通过程

4-2　阳极-阴极间加有迅速上升的正向电压

引起可控硅元件的导通

4-3　可控硅元件承受电流上升率的能力

4-4　可控硅元件的关断过程

第五章　可控硅元件诸参数与特性的相

互关系及综合考虑

5-1　参数与特性的相互关系

5-2　大功率可控硅元件主要参数的设计考虑

5-3　大功率可控硅元件最大转换功率的设计考虑

第六章　关于可控硅元件制造工艺的一些问题

6-1　元件制造工艺

6-2　制造可控硅元件的挖槽工艺

6-3　硅单晶的不均匀性对元件性能的影响

6-4　工艺检测方法

第七章　关于可控硅元件参数测试中的几个问题

7-1　静态参数的测量

7-2　动态参数的测量

7-3　可控硅元件一些物理参数的测量

附表1 自然对数表

附表2 误差函数表

附表3 硅的物理特性

附表4 常用物理常数表

附表5 常用单位换算表

附表6 本书采用的物理量和参数符号表