绪论

第一章 衬底制备

1-1 衬底材料

一、晶体缺陷和非掺杂杂质的影响

二、杂质分布不均匀的影响

三、杂质补偿的影响

1-2 单晶切割

一、单晶定向

二、单晶切割

1-3 单晶片研磨

一、研磨原理

二、研磨方法

一、抛光方法

1-4 单晶片抛光

二、抛光质量的检验

第二章 外延

2-1 硅外延的基本原理

一、外延生长过程和热力学原理

二、生长动力学原理

三、气相质量转移

四、堆垛层错

五、氯化氢气相抛光

六、外延层中的掺杂

七、外延过程中的杂质再分布和自掺杂效应

八、外延条件的选择和克服自掺杂的途径

一、电阻率的检验

2-2 外延层性能的检验

二、杂质浓度分布的检验

三、外延层厚度的检验

四、夹层的检验

五、表面缺陷的检验

2-3 在蓝宝石、尖晶石上的硅外延

一、绝缘衬底的选择

二、SOS外延生长

三、SOS外延层的质量讨论

2-4 砷化镓外延

一、三氯化砷气相外延

二、液相外延

三、分子束外延

一、热生长氧化法

第三章 氧化

3-1 二氧化硅膜的制备及其原理

二、热氧化生长动力学

三、热分解淀积氧化膜法

四、其它氧化方法

3-2 二氧化硅膜的结构

3-3 二氧化硅膜的性质

一、二氧化硅的物理性质

二、二氧化硅的化学性质

3-4 二氧化硅-硅界面的物理性质

一、热氧化时杂质在界面上的再分布

3-5 二氧化硅膜质量的检验

一、氧化层膜厚的测定

二、反型层现象

二、氧化膜缺陷的检验

第四章 扩散

4-1 扩散原理

一、扩散的本质

二、扩散系数

三、扩散机构

4-2 扩散方程

一、扩散方程的建立

二、扩散方程解的物理意义

三、实际分布与理论分布存在差异的讨论

4-3 扩散方法

一、液态源扩散

二、箱法扩散

三、固态氮化硼扩散

四、氧化物源扩散

五、二氧化硅乳胶源涂层扩散

4-4 扩散层的质量分析与检验

一、结深(xf)

二、薄层电阻

三、表面杂质浓度

四、击穿电压

五、β值

4-5 离子注入掺杂技术

一、离子注入的基本原理

三、离子注入的沟道渗透效应

二、离子注入的杂质分布

四、离子注入的退火处理

五、离子注入的掩蔽技术

六、离子注入的主要设备

第五章 隔离

5-1 pn结隔离

一、pn结隔离的原理

二、几种常见的pn结隔离特性的分析

三、pn结隔离的优缺点

四、改进的pn结隔离

5-2 介质隔离

一、二氧化硅介质隔离

二、V型糟介质隔离

一、等平面隔离

5-3 pn结-介质混合隔离

二、多孔硅氧化隔离

三、V型槽隔离

第六章 光刻

6-1 光致抗蚀剂

一、光致抗蚀剂的结构性质

二、光致抗蚀剂的种类和感光机理

三、对光致抗蚀剂性能的要求

四、光刻胶的配制

6-2 光刻工艺原理

一、涂胶

二、前烘

三、曝光

四、显影

六、腐蚀

五、坚膜

七、去胶

6-3 光刻缺陷

一、浮胶

二、毛刺和钻蚀

三、针孔

四、小岛

6-4 其它曝光技术简介

一、光学曝光方法的改进

二、电子束曝光和X射线曝光

7-1 制版工艺的光学基础

一、成象原理

第七章 制版

二、照相物镜的特性

三、图形的反差与过渡区

7-2 超微粒干版的制备与显象原理

一、超微粒干版的制备

二、超微粒干版的显象原理

三、“PD”版

7-3 制版工艺

一、原图绘制

二、初缩

三、精缩兼分步重复

四、复印

7-4 自动制版简介

一、光学图形发生器

二、电子束图形发生器

三、激光图形发生器

第八章 表面钝化

8-1 二氧化硅-硅系统中的电荷

一、可动正离子

二、固定电荷

三、界面态

四、陷阱缺陷

五、氧化物外表面电荷

六、SiO2-Si系统中的电荷综述

8-2 氯化氢氧化工艺

一、氯化氢氧化的作用

二、氯化氢氧化工艺

一、磷硅玻璃膜的作用

8-3 磷硅玻璃钝化工艺

二、PSG膜的制备

8-4 氮化硅钝化工艺

一、氮化硅膜的性质

二、氮化硅膜的制备

8-5 三氧化二铝钝化工艺

一、三氧化二铝的主要性质

二、三氧化二铝钝化膜的制备

8-6 低温钝化技术及半绝缘多晶硅钝化膜

一、低温钝化技术

二、半绝缘多晶硅钝化膜

第九章 电极制备及封装

9-1 欧姆接触

一、欧姆接触的原理

二、欧姆接触的制备方法

9-2 蒸发与溅射

一、真空蒸发

二、电子束蒸发

三、溅射

9-3 多层电极与多层布线

一、多层电极

二、多层布线

9-4 键合与封装

一、键合

二、封装

第十章 可靠性基本原理

10-1 可靠性的定义与基本参量

一、可靠度

四、瞬时失效率

五、平均寿命

二、累积失效率

三、失效密度

10-2 半导体器件的失效规律与常用寿命分布

一、半导体器件的失效规律

二、常用寿命分布

10-3 可靠性试验数据处理原理

一、威布尔概率纸

二、正态概率纸

三、对数正态概率纸

10-4 加速寿命试验原理

一、加速寿命试验的理论基础

二、加速寿命试验

10-5 抽样试验原理

一、单式抽样

二、寿命试验的抽样计算

10-6 工艺筛选原理

一、筛选条件的选择

二、筛选试验的种类与工作原理

第十一章 失效分析

11-1 失效模式

11-2 失效机理

一、概述

二、表面劣化失效

三、金属化系统的失效

四、二次击穿失效

五、与设计有关的失效

六、MOS电路和LSI电路的特殊失效

七、辐射引起的失效

11-3 失效分析法

一、分析过程

二、基本电测试分析

三、理化分析

第十二章 质量控制

12-1 环境控制

一、污染来源与环境净化

二、环境监控

12-2 工艺控制

一、镜检

二、微电子测试图

三、质量控制图