目录

第一章 半导体器件工艺概述

§1-1半导体器件工艺的发展及现况简介

§1-2半导体器件制造的工艺流程

第二章 半导体材料的特点和加工

§2-1半导体材料的特点与加工要求

§2-2切片工艺

§2-3磨片工艺

§2-4抛光工艺

§2-5材料的损耗及提高材料利用率的途径

第三章 外延工艺

§3-1外延生长的基本知识

§3-2外延生长工艺

§3-3硅外延生长装置

§3-4外延层的参数测量

§3-5外延层质量的讨论

第四章 氧化工艺

§4-1二氧化硅的物理及化学性质

§4-2二氧化硅在器件中的作用

§4-3二氧化硅层的制备原理及操作实例

§4-4二氧化硅质量检验及工艺问题讨论

第五章 光刻工艺

§5-1光刻工艺流程

§5-2光刻胶的性质

§5-3光刻工艺操作

§5-4光刻中常见问题的讨论

§5-5光刻新工艺

第六章 扩散工艺

§6-1扩散原理

§6-2扩散条件的选择

§6-3扩散工艺

§6-4扩散参数的测量

§6-5扩散中常见问题的简单分析

§6-6离子注入技术

第七章 介质膜淀积工艺

§7-1常用介质膜的性质和作用

§7-2介质膜的制造工艺

§7-3介质膜的检测

第八章 电极制备及引线、封装工艺

§8-1蒸发工艺

§8-2合金及划片工艺

§8-3键合工艺

§8-4封装工艺

第九章 制版工艺

§9-1透镜成像的基本规律

§9-2对掩膜版的要求及工艺流程

§9-3制图与照相

§9-4超微粒干版、铬版、氧化铁版的制备

§9-5光刻掩膜版的识别

第十章 半导体器件的可靠性

§10-1可靠性的概念及简单计算

§10-2可靠性试验

§10-3半导体器件失效分析

§10-4提高器件可靠性的措施

第十一章 超争知识

§11-1净化标准与测量

§11-2过滤器与净化台

§11-3超净室

附录一 室温（300K）下锗、硅的物理性质

附录二 常用金属的主要物理性质

附录三 常用金属和合金的腐蚀剂

附录四 气体的安全使用常识

附录五 有机溶剂及酸、碱的安全使用常识