目录

绪论

第1章 衬底制备

§1-1 衬底材料

1．对衬底材料的要求

2．衬底单晶材料的制备

3．杂质缺陷对器件工艺质量的影响

4．多晶硅的结构性质

§1-2 衬底制备

1．晶体定向

2．晶片加工

第2章薄膜制备

§2-1 硅外延薄膜制备的原理

1．外延生长动力学原理

2．外延掺杂及其杂质再分布

3．堆垛层错

4．氯化氢气相抛光

5．自掺杂效应

6．低压外延

§2-2 二氧化硅薄膜

1．SiO2膜的结构和性质

2．热生长氧化膜的制备

3．实现掩蔽扩散的条件

4．氧化层错

§2-3 薄膜的化学气相淀积

1．常压化学气相淀积法

2．低压化学气相淀积法

3．等离子增强化学气相淀积法

4．分子束外延

第3章 掺杂技术

§3-1 扩散

1．杂质原子的微观扩散机构及其宏观描述

2．扩散层杂质原子的浓度分布

3．硅器件生产中的两步扩散工艺

4．扩散层质量参数

5．扩散条件的选择

6．理论分布与实际分布的差异

7．金扩散

§3-2 离子注入掺杂

1．离子注入设备

2．注入离子的浓度分布

3．晶格损伤与退火

§3-3 合金法

1．合金pn结的制作原理

2．合金pn结的结深

3．合金条件的考虑

第4章 图形加工技术

§4-1 光致抗蚀剂

1．光致抗蚀剂的结构性质

2．光致抗蚀剂的种类和感光机理

3．对光致抗蚀剂性能的要求

§4-2 光掩模

1．原图数据的产生

2．图形的产生

3．掩模图形的形成

4．特殊光掩模的制作技术

§4-3 光刻蚀技术

1．光致抗蚀剂膜层图形的形成

2．腐蚀

第5章 可靠性基本原理与失效分析

§5-1 可靠性的基本参量

1．可靠度

4．瞬时失效率

3．失效密度函数（失效密度）

2．累积失效概率

5．平均寿命

§5-2 半导体器件失效规律及常用寿命分布

1．半导体器件失效规律

2．常用寿命分布

§5-3 可靠性试验

1．加速寿命试验

2．可靠性筛选

§5-4 抽样检验