第一章 小尺寸MOS器件模型

第一节 GCA及其局限性

第二节 沟道区离子注入作用

第三节 开启电压的短窄沟效应

第四节 表面迁移率的纵向电场效应

第五节 源漏电流IDS

第六节 沟长调制效应

第七节 电荷守恒电容模型

第八节 次开启电流

第一节 Scaling-Down的基本原理

第二章 器件尺寸缩小及其限制

第二节 源漏穿通及次开启

第三节 热载流子效应

第四节 反型层电容分压

第五节 内连线对延迟时间的影响

第六节 尺寸缩小的限制分析

第三章 VLSI随机存储器

第一节 DRAM单元

第二节 灵敏恢复放大器

第三节 DRAM总体结构

第四节 NMOSDRAM电路形式及性能

第五节 CMOSDRAM

第六节 Mb级DRAM

第七节 VLSISRAM

第八节 冗余容错技术

第九节 专用RAM

第四章 运算电路

第一节 算术逻辑单元（ALU）

第二节 其他运算器电路

第三节 乘法器

第五章 控制电路

第一节 简单控制器

第二节 存储程序控制

第三节 微程序控制

第六章 专用集成电路

第一节 门阵列

第二节 标准单元法

第三节 ROM基专用电路

第七章 GaAs高速集成电路及其他新型高速电路

第一节 材料的性质

第二节 组成高速数字电路的器件

第三节 电路形式

第四节 几种高速GaAsVLSI

第五节 高速BiCMOS技术

第六节 高速低温CMOS电路