第一部分 抗辐射设计

第1章 概论

1.1概述

1.2辐射源及分类

1.3基本概念与单位

1.4常用辐射测量方法

第2章 辐射环境

2.1概述

2.2俘获辐射带

2.3太阳宇宙射线

2.4银河宇宙射线

2.5次级辐射粒子

2.6太阳电磁辐射

2.7空间等离子体

2.8太阳活动对空间辐射环境的影响

2.9核反应堆辐射环境

2.10核武器辐射环境

2.11激光辐射

第3章 辐射损伤机制

3.1概述

3.2辐射损伤模式

3.3带电粒子与物质的相互作用

3.4中子与物质的相互作用

3.5光子与物质的相互作用

第4章 辐射效应

4.1概述

4.2单粒子效应

4.3电离总剂量效应

4.4表面充放电效应

4.5内带电效应

4.6位移损伤效应

4.7辐射生物学效应

4.8辐射诱导传感器背景噪声效应

第5章 辐照试验

5.1概述

5.2辐照源

5.3试验标准与规范

5.4参数与测试

5.5试验流程

第6章 辐射屏蔽

6.1概述

6.2辐射输运过程

6.3屏蔽分析方法

6.4常用的粒子输运蒙特卡罗程序

6.5辐射屏蔽模型

第7章 抗辐射设计

7.1概述

7.2抗辐射设计程序

7.3辐射设计余量

7.4辐射计算

第8章 辐射加固保证

8.1概述

8.2电离总剂量效应加固保证

8.3位移损伤效应加固保障

8.4单粒子效应加固保证

8.5辐射诱导背景噪声评估

第二部分 典型材料与元器件辐射效应

第9章 漆类材料辐射效应

9.1概述

9.2漆类材料辐射损伤机制

9.3部分漆类材料辐射效应

第10章 聚合物材料辐射效应

10.1概述

10.2聚合物材料辐射损伤机制

10.3辐射导致聚合物性能的变化

10.4部分聚合物及聚合物基材料辐射效应

第11章 光学材料辐射效应

11.1概述

11.2光学材料辐射损伤机制

11.3玻璃材料辐射效应

11.4光纤的辐射效应

第12章MOS工艺器件辐射效应

12.1概述

12.2 MOS工艺器件辐射损伤机制

12.3 MOS工艺器件辐射效应

第13章 双极晶体管辐射效应

13.1概述

13.2辐射损伤机制

13.3双极晶体管辐射效应

13.4低剂量率增强效应

13.5偏置对辐射效应的影响

第14章 光电二极管辐射效应

14.1概述

14.2光电二极管辐射损伤机制

14.3部分光电二极管的辐射效应

第15章FPGA辐射效应

15.1概述

15.2 FPGA辐射损伤机制

15.3 FPGA辐射损伤效应

第16章CCD辐射效应

16.1概述

16.2 CCD辐射损伤机制

16.3 CCD辐射损伤效应

附录A：常用单位名称、单位符号及换算关系

附录B：全书缩略语和专用名词对照表

附录C：太阳黑子数周期的极大值和极小值

附录D： Z≤28的GCR粒子刚度谱和参数

附录E： Z≥29的GCR粒子刚度谱和参数

索引