绪论

本章小结

习题与解答

第1章 集成制造技术基础

1.1 常规集成电路制造技术基础［1,2］

1.1.1 常规双极晶体管的工艺结构

1.1.2 常规双极性晶体管平面工艺流程

1.2 常规PN结隔离集成电路工艺［3,4］

1.2.1 常规PN结隔离集成电路的工艺结构

1.2.2 常规PN结隔离集成电路的工艺流程

本章小结

习题与解答

参考文献

第2章 硅材料及衬底制备

2.1 半导体材料的特征与属性［1,2,3］

2.2 半导体材料硅的结构特征

2.3 半导体单晶制备过程中的晶体缺陷［4,5］

2.4 集成电路技术的发展和硅材料的关系［6,7］

2.5 半导体硅材料及硅衬底晶片的制备

2.6 半导体硅材料的提纯技术

2.6.1 精馏提纯四氯化硅技术及其提纯装置

2.6.2 精馏提纯四氯化硅的产业化流程

2.7 半导体单晶材料的制备流程［8,9,10］

2.8 硅单晶的各向异性在管芯制造中的应用

本章小结

习题与解答

参考文献

第3章 外延生长工艺原理

3.1 关于外延生长技术［1～6］

3.2 外延生长工艺方法概论

3.2.1 典型的水平反应器硅气相外延生长系统简介

3.2.2 硅化学气相淀积外延生长反应过程的一般描述［7～9］

3.3 常规硅气相外延生长过程的动力学原理［10～12］

3.4 常规硅气相外延生长过程的结晶学原理

3.5 关于气相外延生长的工艺环境和工艺条件［13～15］

3.5.1 外延生长过程中的掺杂

3.5.2 外延生长速率与反应温度的关系［16,17］

3.5.3 外延生长层内的杂质分布［18,19］

3.5.4 外延生长缺陷

3.5.5 外延生长之前的氯化氢气相抛光

3.5.6 典型的外延生长工艺流程［20,21］

3.5.7 工业化外延工序的质量控制

本章小结

习题与解答

参考文献

第4章 氧化介质薄膜生长

4.1 氧化硅介质膜的基本结构［1～4］

4.2 二氧化硅介质膜的主要性质

4.3 氧化硅介质膜影响杂质迁移行为的内在机理［5～12］

4.4 氧化硅介质膜的热生长动力学原理［13～15］

4.5 典型热生长氧化介质膜的常规生长模式［16,17］

本章小结

习题与解答

参考文献

第5章 半导体的高温掺杂

5.1 固体中的热扩散现象及扩散方程［1～9］

5.2 常规高温热扩散的数学描述［10,11］

5.2.1 恒定表面源扩散问题的数学分析

5.2.2 有限表面源扩散问题的数学分析

5.3 常规热扩散工艺简介

5.3.1 典型的常规液态源硼扩散

5.3.2 典型的常规液态源磷扩散

5.3.3 典型的常规固态氮化硼源扩散

5.4 实际扩散行为与理论分布的差异

5.4.1 发生在氧化硅－硅界面处的杂质再分布行为

5.4.2 发生在氧化过程中的氧化增强扩散行为［12］

5.5 扩散行为的仿真及影响扩散行为的效应

5.5.1 杂质热扩散及热迁移工艺模型

5.5.2 氧化增强扩散模型

5.5.3 对杂质在可动界面处变化的一维描述

5.5.4 对杂质在可动界面处变化的二维描述

5.5.5 对常规扩散行为进行的二维描述

5.6 深亚微米工艺仿真系统所设置的小尺寸效应模型

本章小结

习题与解答

参考文献

第6章 离子注入低温掺杂

6.1 离子注入掺杂技术的特点［1］

6.2 关于离子注入技术的理论描述［2～6］

6.3 关于离子注入损伤

6.4 离子注入退火［7］

6.5 离子注人设备［8～11］

6.6 离子注入的工艺实现［12～16］

本章小结

习题与解答

参考文献

第7章 薄膜气相淀积工艺

7.1 常用的几种化学气相淀积方法［1～13］

7.1.1 常压化学气相淀积

7.1.2 低压化学气相淀积

7.1.3 等离子体增强化学气相淀积

7.2 晶圆CVD加工需求最多的几种介质薄膜［14］

7.2.1 二氧化硅介质薄膜

7.2.2 多晶硅介质薄膜

7.2.3 氮化硅介质薄膜

7.3 化学气相淀积的安全性［15～18］

本章小结

习题与解答

参考文献

第8章 图形光刻工艺原理

8.1 关于光致抗蚀剂［1～9］

8.2 典型的光刻工艺原理［10,11］

8.2.1 涂胶工序

8.2.2 前烘工序

8.2.3 曝光工序

8.2.4 显影工序

8.2.5 坚膜工序

8.2.6 腐蚀工序

8.2.7 去胶工序

本章小结

习题与解答

参考文献

第9章 掩膜制备工艺原理

9.1 集成电路掩膜版制备简述［1～4］

9.2 光刻掩膜版设计和制备的基本过程

9.2.1 原图绘制

9.2.2 初缩

9.2.3 精缩与分步重复

9.3 当代计算机辅助掩膜制造技术

9.3.1 原图数据处理系统

9.3.2 版图修改

9.3.3 版图验证

9.3.4 版图尺寸修正

本章小结

习题与解答

参考文献

第10章 超大规模集成工艺

10.1 当代微电子技术的飞速发展与技术进步［1,2］

10.2 当代超深亚微米级层次的技术特征［3］

10.3 超深亚微米层次下的小尺寸效应［4,5］

10.3.1 热载流子退化效应［6～8］

10.3.2 短沟道效应［9,10］

10.3.3 漏、源穿通效应

10.3.4 载流子速度饱和效应

10.4 典型的超深亚微米CMOS制造工艺［11,12］

10.5 超深亚微米CMOS工艺技术模块简介

10.5.1 CMOS体结构中的隔离工艺模块

10.5.2 CMOS体结构中阱结构形成工艺模块［13,14］

10.5.3 CMOS体结构中自对准硅化物形成工艺模块

10.5.4 小尺寸MOS器件轻掺杂漏技术［15～17］

10.5.5 大规模集成电路多层互连技术［18～23］

10.5.6 集成电路互连表面的平坦化技术［24～26］

本章小结

习题与解答

参考文献

第11章 集成结构测试图形［1～3］

11.1 微电子测试图形的配置及作用

11.2 常用的微电子测试结构及其测试原理简介

11.2.1 常用的扩散薄层电阻测试结构

11.2.2 用于MOS电容测定和C-V特性分析的测试结构

11.2.3 用于工艺过程腐蚀性能监控的测试结构

11.2.4 用于分辨率测定的测试结构

11.2.5 用于掩膜套刻精度测试的测试结构

11.3 微电子测试图形在集成电路工艺流片监控中的应用

本章小结

习题与解答

参考文献

第12章 电路管芯键合封装［1～4］

12.1 集成电路晶圆芯片的减薄及划片技术

12.1.1 晶圆片的背面减薄

12.1.2 晶圆片的定向划片

12.2 集成电路晶圆管芯的装片技术

12.2.1 共晶焊装片方式

12.2.2 聚合物黏接装片方式

12.3 集成电路管芯内引线键合工艺

12.3.1 管芯内引线键合用引线材料

12.3.2 常用的管芯内引线键合工艺

12.4 集成电路管芯的外封装技术

本章小结

习题与解答

参考文献

第13章 工艺过程理化分析［1～3］

13.1 集成电路生产过程中进行理化分析的目的

13.2 IC生产中常用的理化分析仪器

13.2.1 扫描电子显微镜

13.2.2 电子微探针

13.2.3 扫描俄歇微探针

13.2.4 离子探针显微分析仪

13.2.5 透射电子显微镜

13.2.6 透射扫描电子显微镜

本章小结

习题与解答

参考文献

第14章 管芯失效及可靠性

14.1 半导体器件的可靠性及其包含的内容

14.2 集成电路常见的失效模式和失效机理［1～3］

14.3 关于金属化系统的失效

14.3.1 铝层的电迁移造成的失效

14.3.2 氧化层台阶处金属膜断裂造成的失效

14.4 高能粒子辐射造成的失效行为

14.4.1 位移辐射效应

14.4.2 电离辐射效应

14.5 辐射效应对硅集成电路性能的影响

14.5.1 辐射效应对双极性集成电路性能的影响

14.5.2 辐射效应对MOS集成电路性能的影响

14.6 集成电路性能的可靠性保证

14.6.1 电路性能设计

14.6.2 电路结构设计

本章小结

习题与解答

参考文献

第15章 芯片产业质量管理

15.1 质量管理理论基础［1～10］

15.2 集成电路芯片产业的生产管理模式［11～13］

15.2.1 管理体制的选择

15.2.2 管理体制的特点

15.2.3 生产计划的管理

15.3 集成电路芯片产业的技术管理模式［14～16］

15.4 集成电路芯片产业的质量管理

本章小结

习题与解答

参考文献

附录A 集成制造术语详解

附录B 集成电路制造技术缩略语

附录C 常用系数

附录D 集成电路制造技术领域常用科学数据