第1章 硅原料

1.1 概论

1.1.1 主要技术路线

1.1.2 杂质

1.2 冶金级硅

1.3 西门子法

1.4 冶金法

1.4.1 氧化去除硼

1.4.1.1 铸桶提纯熔渣

1.4.1.2 熔渣特性

1.4.2 与水蒸气反应去除硼

1.4.3 真空处理去除磷

1.4.4 凝固提纯

1.4.5 溶剂提纯

1.4.6 浸出去除杂质

1.4.7 电解/电化学纯化

1.4.8 沉淀去除夹杂

1.4.9 过滤去除夹杂

参考文献

第2章 切克劳斯基法

2.1 概论

2.2 热场设计

2.2.1 功率和生长速率

2.2.2 界面形状和热应力

2.2.3 氩气消耗和石墨降解

2.2.4 产额提升

2.3 连续加料

2.3.1 数次加料

2.3.2 镀膜坩埚

2.3.3 大尺寸和连续生长

2.4 改善晶体质量

2.5 小结

参考文献

第3章 区熔法

3.1 概论

3.2 原料棒

3.2.1 西门子法和硅烷法

3.2.2 切克劳斯基法

3.2.3 颗粒状原料

3.3 区熔法的掺杂

3.4 技术限制

3.5 二次区熔法

3.6 区熔法的潜力

3.7 小结

参考文献

第4章 定向凝固法

4.1 概论

4.2 控制结晶过程

4.3 晶体中的杂质

4.4 凝固的三维效应

4.5 小结

参考文献

第5章 枝晶铸造法

5.1 概论

5.2 小平面枝晶

5.3 平行孪晶

5.4 枝晶生长理论模型

参考文献

第6章 亚晶界

6.1 概论

6.2 亚晶界的结构分析

6.3 亚晶界的电学特性

6.4 亚晶界的产生机理

6.5 小结

参考文献

第7章 带硅生长

7.1 概论

7.2 带硅技术的各种类型

7.2.1 第1类带硅

7.2.1.1 边缘限制薄膜生长

7.2.1.2 线带

7.2.2 第Ⅱ类带硅

7.2.2.1 衬底带硅生长

7.2.3 技术比较

7.3 材料特性和太阳能电池工艺

7.3.1 耐火材料

7.3.2 带硅材料特性

7.3.2.1 边缘限制薄膜生长和线带

7.3.2.2 衬底带硅生长

7.3.3 带硅太阳能电池

7.3.3.1 带硅的氢化

7.3.3.2 太阳能电池工艺

7.4 小结

参考文献

第8章 球形硅

8.1 概论

8.2 过冷熔体的晶体生长

8.3 枝晶的分裂

8.4 一步滴管法

8.5 小结

参考文献

第9章 液相外延法

9.1 概论

9.2 生长动力学

9.3 溶剂和衬底的优化

9.3.1 溶剂的选择

9.3.2 衬底表面的自生氧化物

9.4 实验结果

9.4.1 外延层厚度和生长速率

9.4.2 外延层的掺杂和电学特性

9.5 多晶硅衬底上的生长

9.5.1 太阳能电池特性

9.6 低温液相外延法

9.7 异质衬底液相外延法

9.8 外延横向过度生长

9.9 高生产速率液相外延法

9.10 小结

参考文献

第10章 气相外延法

10.1 概论

10.2 理论分析

10.2.1 流体力学

10.2.2 生长动力学

10.2.2.1 气体中气流和衬底上气流

10.2.2.2 生长速率

10.2.2.3 边界层模型

10.3 实验方法

10.3.1 SiH2Cl2/H2系统

10.3.2 外延层的掺杂

10.3.2.1 掺杂水平

10.3.2.2 掺杂分布

10.4 外延生长设备

10.5 小结

参考文献

第11章 闪光灯退火

11.1 概论

11.2 实验设备

11.3 热扩散长度

11.4 相变

11.5 辐照度控制

11.6 制备太阳能电池

11.7 多晶硅薄膜的微结构

11.8 小结

参考文献

第12章 铝诱导层交换

12.1 概论

12.2 总体技术

12.3 动力学分析

12.4 结构特性和电学特性

12.5 渗透膜的影响

12.6 理论模型

12.7 光伏应用

12.8 小结

参考文献

第13章 热化学数据库和动力学数据库

13.1 概论

13.2 热化学数据库

13.2.1 热力学描述

13.2.1.1 元素和化学计量化合物

13.2.1.2 溶液

13.2.1.3 溶解度

13.2.1.4 平衡分配系数

13.2.1.5 退缩性溶解度

13.2.2 典型实例

13.3 动力学数据库

13.3.1 杂质扩散率

13.3.2 典型实例

13.4 应用热化学数据库和动力学数据库

13.4.1 溶解度和分配系数

13.4.2 表面张力

13.4.3 多晶硅中杂质的晶界偏析

13.4.4 确定洁净区宽度

13.5 小结

参考文献

英汉索引

汉英索引