第1章 太阳电池概论

1.1我们所知道的太阳

1.2太阳辐射

1.3为何太阳能源之利用变得那麽重要？

1.4太阳能发电的优缺点

1.5何谓太阳电池？

1.6太阳电池的发展史

1.7台湾太阳电池产业的发展

1.8太阳电池的经济效益

第2章 太阳电池的基本原理

2.1基本的光电物理

2.2硅的原子结构

2.3半导体的能带理论

2.4 P-N接合（P-N Junction）

2.5太阳电池的发电原理

2.6太阳光的光谱照度

2.7太阳电池的电路模型

2.8判别太阳电池效率的参数

2.8.1最大的功率点

2.8.2能量转换效率

2.8.3填充系数（Fill Factor）

2.8.4量子效率

2.9影响太阳电池效率的因素

2.9.1造成转换效率损失原因

2.9.2提高转换效率的方法

第3章 多晶硅原料制造技术

3.1太阳电池材料之选定标准

3.2硅原料之特性

3.3多晶硅原料之制造流程（Siemens方法）

3.3.1冶金级多晶硅原料之制造

3.3.2三氯硅烷（SiHCl3）的制造与纯化

3.3.3块状多晶硅原料的制造：Siemens方法

3.4块状多晶硅原料的制造：ASiMi方法

3.4.1 SiH4原料制造技术

3.4.2多晶硅原料的制造

3.5粒状多晶硅原料的制造

3.6多晶硅原料之市场概况

第4章 太阳电池级硅单晶片制造技术

4.1前言

4.2 CZ硅单晶棒之制造

4.2.1 CZ拉晶炉设备

4.2.2 CZ拉晶流程

4.3太阳电池等级CZ单晶片的常用规格

4.4 CZ单晶棒的品质与良率控制

4.4.1单晶良率的提升

4.4.2电阻率的控制

4.4.3氧在硅晶棒内的形成机构与控制

4.4.4 CZ硅晶棒中碳的形成与控制

4.4.5 CZ硅晶棒中金属不纯物的来源与控制

4.5晶圆的加工成型

4.5.1修边

4.5.2切片

4.5.3蚀刻清洗

4.6硅单晶片之市场概况

第5章 多晶硅晶片之制造技术

5.1前言

5.2铸造多晶硅锭之技术

5.3多晶硅片之加工成型

5.4多晶硅片之品质控制

5.4.1结晶缺陷

5.4.2不纯物之控制

5.5薄板多晶硅片之制造技术

5.5.1 EFG法

5.5.2 WEB法

5.5.3 STR法

5.5.4 RGS法

5.6硅薄板之品质特性

第6章 结晶硅太阳电池

6.1前言

6.2太阳电池基本结构

6.2.1基板

6.2.2表面粗糙结构化

6.2.3 P-N二极体

6.2.4抗反射层

6.2.5金属电极

6.3太阳电池之制造流程

6.3.1表面粗糙结构化

6.3.2磷扩散制程

6.3.3边缘绝缘处理

6.3.4抗反射层涂布

6.3.5正面电极之网印

6.3.6背面电极之网印

6.3.7火烤

6.4模组化技术

6.4.1太阳电池的串接

6.4.2太阳电池模组之构造与制造过程

第7章 薄膜型结晶硅太阳电池

7.1前言

7.2薄膜结晶硅之沉积技术

7.2.1 CVD薄膜结晶硅之沉积技术

7.2.2 LPE薄膜结晶硅之沉积技术

7.3薄膜晶粒之改善技术

7.3.1 ZM R再结晶技术

7.3.2金属诱发结晶化

7.3.3退火处理

7.3.4雷射诱发再结晶

7.4薄膜型结晶硅之种类

7.4.1单晶硅薄膜生长在单晶硅基板上

7.4.2多晶硅薄膜生长在多晶硅基板上

7.4.3多晶硅薄膜生长在其它材质基板上

7.5薄膜硅太阳电池设计上之考量

7.5.1光线的留滞

7.6混合型（Hybrid）堆叠之薄膜太阳电池

第8章 非晶硅太阳电池

8.1前言

8.2非晶硅之原子结构与特性

8.3非晶硅之沉积技术

8.3.1 PECVD

8.3.2 HWCVD

8.3.3合金膜的形成

8.4非晶硅太阳电池之结构

8.4.1基本的p-i-n结构

8.4.2多接面太阳电池结构

8.5非晶硅太阳电池模组

8.6非晶硅薄膜之光劣化现象

第9章 Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池

9.1前言

9.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物之特性

9.3Ⅲ-Ⅴ族化合物之薄膜生长技术

9.3.1液相磊晶法（LPE）

9.3.2化学气相沉积法（CVD）

9.3.3有机金属化学气相沉积法（MOCVD）

9.3.4分子束磊晶法（MBE）

9.4单—接面太阳电池之设计

9.5多接面太阳电池之设计

9.6 GalnP/GaAs/Ge太阳电池

9.6.1 Ge电池

9.6.2 GaAs电池

9.6.3 GalnP电池

9.6.4隧道结

9.7 InP基太阳电池

9.8量子井太阳电池

9.9 Ⅲ-Ⅴ族太阳电池之应用

9.9.1热光伏特系统

9.9.2聚光系统

9.9.3太空应用

第10章 碲化镉（CdTe）太阳电池

10.1前言

10.2 CdTe的基本物理性质

10.3 CdTe薄膜的制造技术

10.3.1物理气相沉积法

10.3.2密闭空间升华法

10.3.3气相传输沉积法

10.3.4溅镀法

10.3.5电解沈积法

10.3.6喷涂沉积法

10.3.7有机金属化学气相沉积法

10.3.8网印沉积法

10.4 CdCl2处理

10.5 CdTe太阳电池之结构

10.6 CdTe太阳电池模组

10.7 CdTe太阳电池之未来发展

第11章 铜铟镓二硒太阳电池

11.1前言

11.2材料特性

11.3 CIGS薄膜制造技术

11.3.1同步蒸镀法

11.3.2硒化法

11.4 CIGS太阳电池之结构

11.4.1背面电极

11.4.2吸收层

11.4.3缓冲层

11.4.4透明导电氧化层

11.4.5正面金属电极

11.5 CIGS太阳电池模组

11.6 CIGS太阳电池的未来发展

第12章 染料敏化太阳电池

12.1前言

12.2染料敏化太阳电池的基本结构

12.2.1玻璃基板

12.2.2 TiO2光导电极

12.2.3染料光敏化剂

12.2.4电解质

12.2.5辅助电极

12.3染料敏化太阳电池的发电原理

12.4染料敏化太阳电池的特性

12.5染料敏化太阳电池模组化之考量

12.6染料敏化太阳电池的发展趋势

第13章 太阳光电系统与应用

13.1前言

13.2太阳光电系统之组成

13.2.1蓄电池

13.2.2充电控制器

13.2.3直/交流转换器

13.3太阳光电系统之种类与应用

13.3.1独立型（off-g rid或stand-alone）太阳光电系统

13.3.2市电并联型（Grid-Connected）太阳光电系统

13.3.3混合型（Hybrid）太阳光电系统

13.4太阳光电系统在太空上的应用

附录 本书编写时之参考资料