目 录

第一章卤化碱晶体的击穿

1.1 卤化碱晶体击穿实验

1.2电子失稳

1.3方向性击穿

1.4晶体中的击穿路径和花样

1.5击穿判据

1.6电子倍增雪崩与击穿

参考文献

第二章电击穿与热击穿

2.1 电介质的电导率

2.2固态电介质击穿类型的区分问题

2.3接实验现象特征区分

2.4按理论概念区分

2.5热击穿的一般原理

2.6一维稳态热击穿解

参考文献

3.1 MOS电容器

第三章二氧化硅薄膜的击穿

3.2 自愈合击穿

3.3击穿示波图

3.4 MOS击穿的温度

3.5 MOS单孔击穿机制的初步探索

3.6击穿发生时的能量关系

3.7击穿孔的大小

3.8二氧化硅膜中热击穿事例

3.9再讨论热击穿与电击穿

3.10电极极性效应与前击穿现象

3.11标准化的击穿试验万法

3.12材料和工艺参量对于MOS击穿强度的影响………

3.13开关事件与击穿事件

3.14热生长二氧化硅膜中F-N隧穿电流

3.15 MOS氧化膜减薄趋势

3.16薄氧的电击穿特性

参考文献

第四章电击穿理论（上）

4.1单电子近似本征击穿理论

4.2 Fr？hlich关于非晶态电介质的本征击穿理论

4.3雪崩击穿的理论概念

4.4单电子碰撞电离雪崩击穿理论

4.5卤化碱的低温击穿性质

4.6 卤化碱的高温击穿性质

4.7玻璃和石英

4.8云母

4.9前期电击穿理论的简单回顾

参考文献

5.1 电流失稳碰撞电离－漂移模型

第五章电击穿理论（下）

5.2碰撞电离－复合模型

5.3辨认二氧化硅膜中碰撞电离的实验

5.4对ID与IR模型的讨论

参考文献

第六章电介质与时间有关的击穿（TDDB）

6.1 热生长二氧化硅膜中与时间有关的介质击穿

6.2 TDDB与电场加速试验

6.3薄氧TDDB的M-B模型

参考文献

7.1 Harari实验

第七章二氧化硅膜中电荷陷阱化与击穿

7.2 400—1000？SiO2膜的击穿强度与厚度的关系

7.3快击穿与慢击穿

7.4共振隧穿与击穿

7.5二氧化硅膜中电子热化与击穿

参考文献

第八章击穿统计

8.1击穿事件的随机性与局域性

8.2击穿统计研究概况

8.3极值统计学

8.4二氧化硅膜中电荷陷阱的产生与击穿统计

参考文献

附录A硅物理

参考文献

附录B MOS结构的基本理论

参考文献

附录C MOS电容－电压方法

参考文献

附录D各种卤化碱的晶体常数

参考文献