主页 详情

《半导体物理实验》_刘士毅等编_10540102_13010·629

【书名】:《半导体物理实验》
【作者】:刘士毅等编
【出版社】:北京:高等教育出版社
【时间】:1959
【页数】:152
【ISBN】:13010·629
【SS码】:10540102

最新查询

内容简介

实验一 锗的霍耳系数和电导率的测量

目录

实验二 锗的温差电动势率的测量

实验三 用非稳定态方法测量硫化铅的热导率

实验四 锗中少数载流子的扩散长度、寿命和漂移迁移率的测量

实验五 用光注入法测量少数载流子的扩散长度

实验六 半导体光电实验的前言

实验七 氧化亚铜的吸收光谱

实验八 氧化亚铜的光电导的光谱分布

实验九 氧化亚铜光电导载流子弛豫时间的测量

实验十 硒光电池的制造和测量

实验十一 锗的光磁效应和非平衡载流子复合寿命的测量

实验十二 电致发光现象的观察

实验十三 磷光体的加热发光

实验十四 半导体整流效应的介绍

实验十五 用零压电阻的方法测量整流器的势垒

实验十六 整流器电容的测量

实验十七 晶体三极管特性的介绍

实验十八 晶体三极管低频小讯号参数的测量

实验十九 晶体三极管的频率特性

实验二十 点接触型三极管的负阻特性


书查询(www.shuchaxun.com)本网页唯一编码:
fc6ae653dbd9054877290144c641cdbf#8c84ce60b544087228b625a51cd00758#10432041#10540102.zip