第1篇 半导体器件与基本电路

第1章 电子电路基础

1.1 历史回顾

译者序

前言

1.2 电子信号

1.3 放大概念

致学生

1.4 理想运算放大器

总结/检查问题/习题

第2章 半导体介绍

2.1 固体中的带电粒子：漂移与迁移率

2.2 电导率

2.3 扩散

2.4 固体的能带理论概述

2.5 半导体材料

2.6 本征硅的性质

2.7 掺杂硅的性质

2.8 漂移与扩散的实验研究

总结/检查问题/习题/参考文献/推荐读物/

第3章 半导体二极管和二极管电路

3.1 平衡状态的pn结

3.2 外加偏压的pn结

3.3 二极管方程

3.4 实际二极管特性

3.5 负载线和分段线性二极管模型

3.6 动态电阻

3.7 整流电路

3.8 击穿(Zener)二极管稳压器

3.9 二极管波形整形电路

3.10 二极管逻辑(门)电路.

3.11 二极管模拟开关

3.12 二极管电容和开关时间

3.13 金属-半导体结

3.14 光子二极管和微波二极管

3.15 二极管的发热与散热

3.16 二极管的SPICE模型

总结/检查问题/习题/参考文献/推荐读物

第4章 双极型晶体管(BJT)

4.1 双极型晶体管的基本工作原理

4.2 双极型晶体管的伏安特性方程

4.3 双极型晶体管的工作区域

4.4 共基极(CB)组态(接法)

4.5 共射极(CE)组态(接法)

4.6 共射极组态的截止区

4.7 共射极组态的饱和区

4.8 反向工作模式

4.9 共射极组态的电流增益

4.10 双极型晶体管的最大额定值

4.11 双极型晶体管的开关时间

4.12 双极型晶体管的SPICE模型

总结/检查问题/习题/参考文献/推荐读物

第5章 场效应管(FET)的工作原理

5.1 场效应管的符号和正方向表示法

5.2 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管的工作原理

5.3 MOS场效应管的技术指标

5.4 MOS电路

5.5 MOS场效应管的SPICE模型

5.6 结型场效应管的工作原理

5.7 结型场效应管的技术指标

5.8 场效应管的小信号模型

5.9 结型场效应管电路

5.10 结型场效应管的SPICE模型

5.11 金属-半导体(MES)场效应管的工作原理

总结/检查问题/习题/参考文献/推荐读物

第2篇 线性电子电路

第6章 基本分析方法

6.1 运算放大器的技术指标

6.2 一般反馈概念

6.3 幅频特性与相频特性的Bode图：标准型式

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第7章 偏置电路与稳定性

7.1 双极型晶体管Q点(工作点)的选择

7.2 双极型晶体管的偏置电路与Q点稳定性

7.3 场效应管偏置电路与Q点稳定性

7.4 双极型晶体管电流源

7.5 MOS场效应管电流源

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第8章 小信号中频放大器分析

8.1 混合π模型

8.2 共射极放大器：阻抗与放大系数

8.3 共基极放大器：阻抗与放大系数

8.4 射极跟随器(共集电极放大器)：阻抗与放大系数

8.5 场效应管模型

8.6 带有源负载的MOS场效应管放大器

8.7 电容耦合式放大器

8.8 直接耦合式放大器和BiCMOS放大器

8.9 双极型晶体管混合参数的测量

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9.1 双极型晶体管和场效应管的高频小信号模型

第9章 小信号放大器的频率特性

9.2 Cμ和Cgd的高频效应：密勒(Miller)效应

9.3 小信号放大器低频特性分析

9.4 直接耦合式放大器和BiCMOS放大器实例

总结/检查问题/习题/参考文献

第10章 运算放大器

10.1 带电阻负载的差动双极型晶体管放大器

10.2 带电阻负载的差动MOS放大器

10.3 带电阻负载的差动结型场效应管放大器

10.4 带有源负载的双极型晶体管放大器

10.5 带有源负载的MOS放大器

10.6 功率输出级

10.7 器件失配的影响

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第11章 反馈

11.1 一般反馈概念的概述

11.2 电压并联反馈

11.3 电流串联反馈

11.4 电压串联反馈

11.5 电流并联反馈

11.6 放大器的频率特性和补偿

11.7 振荡器

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第12章 运算放大器实例

12.1 用CA3096npn/pnp晶体管阵列构成的运算放大器的设计

12.2 μA741运算放大器的分析

12.3 CA3140运算放大器的分析

12.4 LM111比较器

12.5 运算放大器性能的发展趋势

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附录 精选习题答案