序………………………………………………………（i）

前言………………………………………………………（iii）第一章从电子管到晶体管

1.1 人类的历史，就是一个不断地从必然王国向自由王国发展的历史

目录

1.2无线电电子技术的“心脏”

1.3从电子管到晶体管

第二章什么是半导体

2.1导体、绝缘体和半导体

2.2多晶体和单晶体

2.3半导体有哪些奇怪的“脾气”

第三章半导体是怎样导电的

3.1两种类型的杂质

3.2少数载流子和多数载流子

3.3迁移率和寿命有什么意义

4.1奇怪的发现

第四章p-n结

4.2有趣的现象——阻挡层的形成

4.3 p-n结是怎样整流的

第五章用合金法制造p-n结

5.1用合金去如何形成p-n结

5.2应该选用哪些合金材料

5.3为什么要在氢气或真空中烧结

5.4烧结温度要多高

5.5烧结时间要多长

5.6为什么烧结后要进行缓慢冷却

5.7合金工艺的改进——蒸发合金法

第六章用扩散法制造p-n结

6.1从一个最简单的现象谈起

6.2用扩散法如何形成p-n结

6.3几种常用的扩散方法

6.4哪些材料可以用作扩散杂质源

6.5扩散温度要多高

6.6扩散的时间要多长

6.7扩散法的好处在哪里

第七章如何制作欧姆接触电极

7.1为什么要制作欧姆接触电极

7.2用烧结合金方法制作欧姆接触电极

7.3用蒸发合金方法制作欧姆接触电极

7.4用电镀或化学淀积金属方法制作欧姆接触电极

7.5 用热压法形成欧姆接触电极

7.6如何使引线与电极焊接

第八章 晶片的切割和晶片的表面处理

8.1半导体单晶体具有人眼看不见的方向性

8.2奇特的切割方法——研磨

8.3为提高晶片表面的平整性而努力

9.1驮载声音的“快马”

第九章晶体二极管

9.2从矿石检波器谈起

9.3从电子管检波器回到晶体检波器

9.4 晶体二极管的特性

第十章点接触晶体二极管

10.1简单的结构，方便的工艺

10.2高频率领域的杰出尖兵

10.3用什么金属材料做触丝

10.4点接触二极管的管壳结构

第十一章面结型晶体二极管

11.1面结型二极管有哪些特点

11.2锗面结型二极管

11.3硅面结型二极管

11.4大功率硅面结型二极管

第十二章晶体三极管

12.1新型的电子器件

12.2晶体管的基本结构

12.3晶体管的放大原理

12.4晶体管的电压－电流特性曲线

1 2.5晶体管的符号表示

第十三章晶体管质量的标志——晶体管的参数

13.1晶体管的放大特性参数

13.2晶体管的频率特性参数

13.3晶体管的极限参数

13.4晶体管的直流特性参数

13.5晶体管的开关特性参数

13.6晶体管的噪声系数

第十四章合金型晶体管

14.1两个合金结

14.2锗合金管

14.3硅合金管

14.4大功率合金管

14.5特别现象—穿通

14.6美中不足——截止频率低

第十五章漂移型晶体管

15.1加进一层扩散层

15.2漂移电场，加快了载流子运动速度

15.3集电结电容Cc和基极电阻rbb′为什么变得小了

15.4关键在哪里

第十六章合金扩散型晶体管

16.1混合杂质源

16.2一举两得—扩散结和合金结同时完成

16.3烧“穿”了的扩散层

16.4潜力还很大

16.5提高功率

第十七章台面晶体管

17.1进一步减小基区宽度

17.2齐头并进——结构的改进和工艺的完善

17.3交叉蒸发合金工艺

17.4硅台面管

17.5高频大功率台面管

第十八章平面晶体管

18.1结表面的沾污问题

18.2保护膜——二氧化硅膜

18.3在硅片上生长二氧化硅膜

18.4光刻

18.5两个扩散结的获得

18.6蒸发欧姆接触电极和引线的热压焊

18.7大功率硅外延平面管

18.8 p-n-p型硅平面管

18.9锗平面管

18.10平面管好在哪里

第十九章晶体管的封装

19.1为什么要密封晶体管

19.2玻璃管壳封装

19.3金属管壳封装

19.4大功率晶体管的管壳结构

19.5塑料封装

第二十章昨天今、天和明天

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附录一场效应晶体管

附录二薄膜晶体管

附录三外延生长技术

附录四半导体集成电路

附录五锗、硅和砷化镓的主要物理性能

附录六锗和硅半导体材料的杂质浓度N与电阻率ρ

的换算

附录七半导体器件制造工业中一些常用的金属和合

金及其主要性能

附录八我国半导体器件型号命名法