1．半导体物理的一些基本概念

1-1 固体中的能带结构

1-2 费米分布函数和费米能级

1-3 半导体晶体中的电子和空穴

1-4 本征半导体中的载流子浓度

1-5 半导体中的施主杂质和受主杂质

1-6 电阻率和电导率

2．结的理论与特性

2-1 载流子扩散

2-2 载流子寿命

2-3 平衡结

2-4 非平衡结

2-5 结电容

2-6 反向击穿

3．杂质扩散和扩散结的性质

3-1 扩散理论

3-2 工艺因素对扩散分布的影响

3-3 扩散层的测定

3-4 扩散结的性质

3-5 金扩散

4．晶体管基本原理

4-1 用作放大器的n-p-n结型晶体管

4-2 电流增益和晶体管结构的关系

4-3 缓变基区的电流增益

4-4 晶体管的基极电阻

4-5 基极输入和集电极饱和电压

4-6 晶体管的最大电压特性

4-7 晶体管的频率响应

4-8 晶体管的开关特性

4-9 开关过程的定性描述

5．单块和混合电路的设计原理

5-1 基本工艺过程

5-2 混合集成电路的设计原理

5-3 单块电路的设计原理

5-4 基本的单块结构

5-5 各种工艺的优缺点

5-6 p-n-p-n-p-n结构的形成

5-7 光致抗蚀工艺

5-8 光掩模的制造

5-9 单块电路设计中的考虑

5-10 单块电路设计举例

5-11 小结

6．多相单块集成电路

6-1 多相单块集成电路的制造

6-2 多相单块集成电路的优点

7．单块电路的晶体管和二极管

7-1 单块集成电路晶体管的结构

7-2 击穿电压特性

7-3 漏电流特性

7-4 单块（电路）晶体管的电容

7-5 电流增盆

7-6 饱和特性

7-7 单块电路晶体管的频率响应

7-8 单块电路晶体管特性及电路应用小结

7-9 把集成电路晶体管用作二极管的五种基本接法

7-10 二极管反向击穿电压

7-11 二极管漏电流

7-12 二极管电容

7-13 二极管存贮时间（二极管恢复时间）

7-14 正向特性

7-15 p-n-p寄生晶体管作用

7-16 集成电路二极管小结

8．集成电路中的场效应器件

8-1 场效应晶体管的工作和设计原理

8-2 其他结型场效应器件

8-3 场效应器件工艺

8-4 绝缘栅FET

9．集成电路中其他有源器件

9-1 隧道二极管和反向二极管

9-2 变容二极管

9-3 单结晶体管

9-4 p-n-p-n开关

10．集成电路的无源元件

10-1 结（型）电容器

10-2 薄膜电容器

10-3 扩散电阻器

10-4 薄膜电阻器

10-5 电感器

10-6 压电滤波器

10-7 大容量电容器

10-8 集成电路系统的其他元件

10-9 小结

11．单晶生长和外延工艺

11-1 晶体生长

11-2 切片和抛光

11-3 外延

12．晶片加工

12-1 外延

12-2 扩散

12-3 光致抗蚀法

12-4 二氧化硅-硅的界面效应

12-5 欧姆接触的形成

13．集成电路中的薄膜

13-1 薄膜的淀积

13-2 薄膜的改性

13-3 薄膜图形的形成

13-4 薄膜参数的调整

13-5 薄膜的接触

13-6 衬底制备

13-7 相容电路的设计

13-8 薄膜电路的相容性

13-9 薄膜工艺小结

14．装架工艺

14-1 管芯切割和焊接

14-2 引线焊接

14-3 封口

14-4 寄生成份

14-5 导热问题

15．集成电路的封装

15-1 外壳的密封

15-2 扁平外壳

15-3 T0-5型外壳

15-4 外壳的检验

15-5 散热问题

15-6 集成电路封装的发展趋势

附录A

附录B

附录C