目录

第一章一种新型的半导体器件——场效应管

第二章MOS场效应管的工作原理

2.1 MOS场效应管的简单介绍

2.2半导体基础知识

2.2.1金属、半导体、绝缘体

2.2.2N型半导体和P型半导体

2.2.3半导体中的电流

2.2.4 PN结

2.2.5半导体的表面场效应

2.2.6 MOS场效应管的工作原理

2.2.7 MOS场效应管的四种类型

第三章MOS场效应管的特性与参数

3.1 MOS场效应管的特性

3.1.1 MOS场效应管的输出特性

3.1.2 MOS场效应管的转移特性

3.1.3四种MOS场效应管特性的比较

3.2 MOS场效应管的参数

3.2.1 MOS场效应管的基本参数

3.2.2 MOS场效应管的频率参数

3.2.3 MOS场效应管的极限参数

3.3 MOS场效应管的温度稳定性

第四章MOS场效应管的设计原理

4.1 MOS场效应管设计的一般原则

4.1.1材料的选取

4.1.2栅极二氧化硅层厚度的确定

4.1.3沟道宽长比的考虑

4.1.4结构图形的设计

4.2 3DO1型MOS场效应管的设计示例

第五章MOS场效应管的制造

5.1.1硅片的制备——切片、磨片和抛光

5.1N沟道耗尽型MOS场效应管的制造

5.1.2氧化

5.1.3磷处理

5.1.4光刻

5.1.5扩散

5.1.6蒸发与合金

5.1.7装配——划片、选片、焊接、热压内引线与封帽

5.1.8管芯的检查

5.1.9老化和总测

5.2 N沟道增强型MOS场效应管

5.3 P沟道增强型MOS场效应管

6.1改善MOS场效应管稳定性的措施

第六章提高MOS场效应管性能的途径

6.1.1采用“清洁工艺”制作MOS场效应管

6.1.2磷处理使MOS场效应管的稳定性得以改善

6.1.3 MNS和MNOS场效应器件

6.1.4改善绝缘栅场效应器件稳定性的其他措施

6.2抗辐射MOS场效应管简介

6.2.1辐射的类型及其对半导体的影响

6.2.2辐射对MOS场效应器件的影响及抗辐射MOS场

效应器件

6.3.1提高MOS场效应管频率特性的一般考虑

6.3提高MOS场效应器件频率特性的几种新工艺

6.3.2硅栅工艺

6.3.3离子注入工艺

6.3.4扩散自排列工艺

第七章MOS场效应管的应用

7.1 MOS场效应管在电路应用中的优缺点

7.1.1MOS场效应管具有高的直流输入阻抗

7.1.2 MOS场效应管具有多种的类型

7.1.3 MOS场效应管具有低的噪声特性

7.1.4 MOS场效应管具有强的抗辐射能力

7.1.5 MOS场效应管的缺点

7.2 MOS场效应管的等效电路

7.3 MOS场效应管偏置工作点的选择

7.4 MOS场效应管的应用

7.4.1阻容耦合放大器

7.4.2调谐放大器

7.4.3 MOS场效应管在其他线性放大方面的应用

7.4.4振荡与混频方面的应用

第八章MOS场效应集成电路

8.1 MOS场效应集成电路概述

8.2 MOS倒相器

S.2.1 P沟道倒相器

8.2.2互补倒相器

8.3 MOS 门电路

8.4 MOS触发器

8.5 MOS动态式逻辑电路

8.6 MOS存储器

8.6.1 MOS存储单元

8.6.2 MOS存储器

8.6.3 MOS存储器的特性与参数

附录结型场效应管

一、结型场效应管的工作原理和特性参数

二、结型场效应管的设计

三、结型场效应管的制造