第一章 表面分析

1.1 表面分析特点

1.1--1 超高真空环境(UHV)

1.1--2 清洁表面的制备

1.1--3 高分辨率的表面探针

1.2 表面探针及其与表面的互作用

1.2--1 表面探针与表面互作用类型

1.2--2 电子探针与表面的互作用

1.2--3 入射光子与表面的互作用

1.2--4 入射离子与表面的互作用

1.3 表面成分分析技术

1.3--1 俄歇过程基本概念

1.3--2 俄歇电子能谱(AEP)

1.3--3 俄歇电子谱仪

1.3--4 其他表面成分分析方法

1.4 表面结构分析技术

1.4--1 低能电子衍射(LEED)

1.4--2 反射型高能电子衍射(RHEED)

1.4--3 其他表面结构分析方法

1.5 表面电子态分析技术

1.5--1 光电子发谢

1.5--2 光电子能谱、光电产额谱、角分辨谱

1.5--3 光电子谱仪

第二章 表面结晶学

2.1 理想表面结构

2.1--1 二维结晶学基本概念

2.1--2 二维倒易点阵

2.2 清洁表面结构

2.2--1 表面结构的表述方法

2.2--2 再构表面及其倒易点阵的矩阵元素

2.2--3 表面原子驰豫

2.2--4 表面再构模型

2.3 实际表面结构

2.3--1 表面吸附类型

2.3--2 吸附复盖层

2.3--3 吸附表面层结构

2.3--4 半导体材料的表面吸附

2.4 界面与晶粒间界

2.4--1 晶粒间界一般概念

2.4--2 晶界理论的早期发展

2.4--3 晶粒间界简单模型

2.4--4 电子陶瓷的晶粒间界

2.4--5 晶粒间界的吸附

第三章 表面动力学

3.1 表面振动模

3.1--1 半无限原子链点阵振动

3.1--2 表面模存在条件

3.1--3 三维情况

3.2 连续介质表面波

3.2--1 立方晶体的弹性振动

3.2--2 瑞利表面波

3.3 表面缺陷

3.3--1 表面热缺陷

3.3--2 色心和极化子

3.3--3 表面缺陷的形成和迁移

3.3--4 表面点缺陷浓度

3.4 表面扩散

3.4--1 表面扩散系数

3.4--2 晶界扩散

第四章 表面热力学

4.1 表面张力与表面能

4.1--1 表面能与比表面积

4.1--2 表面能与表面温度

4.1--3 表面能与晶面取向

4.1--4 表面能与表面形状

4.1--5 表面能与表面曲率

4.1--6 表面能与表面状况

4.2 表面润湿与铺展

4.2--1 接触角与表面张力

4.2--2 临界表面张力

4.2--3 粘附与铺展

4.2--4 吸附表面的润湿

4.2--5 粗糙表面的润湿

4.2--6 润湿的毛细效应

4.3 表面吸附

4.3--1 物理吸附和化学吸附

4.3--2 吸附动力学理论

4.3--3 吸附的毛细凝结理论

4.3--4 吸附的热力学理论

4.4 表面效应与新相形成

4.4--1 新相形成的驱动力

4.4--2 晶核的形成条件

4.4--3 成核速率

4.4--4 晶体生长速率

第五章 表面电子学

5.1 简单金属表面的电子状态

5.1--1 一维双端无限势垒模型

5.1--2 电中性原理

5.1--3 表面能

5.2 简单半导体表面态和界面态

5.2--1 一维有限突变势垒模型

5.2--2 无限势垒模型态密度

5.2--3 半导体一金属界面

5.3 表面电导

5.3--1 表面电子输运基本方式

5.3--2 表面态电导

5.3--3 表面空间电荷层

5.3--4 表面量子化

5.3--5 表面空间电荷层载流子输运

5.4 半导体陶瓷界面电子过程

5.4--1 晶粒间界的界面势垒模型

5.4--2 非线性ZnO压敏陶瓷

5.4--3 BaTiO3热敏陶瓷

5.4--4 气敏与湿敏陶瓷

5.5 吸附表面态理论简介

5.5--1 离子吸附的表面态

5.5--2 半导体表面的吸附表面态

5.5--3 夫蓝克--康登效应

5.5--4 吸附表面态平衡占有率

5.5--5 吸附表面态能带的形成

参考书目