目录

序言

导论

第一章 晶体生长和晶片的制备

1.1 引言

1.2 电子纯硅

1.3 切克劳斯基（Czochralski）晶体生长

1.4 硅的整形

1.5 工艺考虑

1.6 小结与展望

参考文献

习题

第二章 外延

2.1 引言

2.2 汽相外延

2.3 分子束外延

2.4 绝缘体上硅

2.5 外延层的评价

2.6 小结与展望

参考文献

习题

第三章 介质和多晶硅薄膜的淀积

3.1 引言

3.2 淀积工艺

3.3 多晶硅

3.4 二氧化硅

3.5 氮化硅

3.6 等离子体淀积

3.7 其他材料

3.8 小结与展望

参考文献

习题

第四章 氧化

4.1 引言

4.2 生长机制和动力学

4.3 氧化技术和氧化系统

4.4 氧化层特性

4.5 掺杂元素在界面上的再分布

4.6 多晶硅氧化

4.7 氧化诱发缺陷

4.8 小结与展望

参考文献

习题

第五章 扩散

5.1 引言

5.2 固体中的扩散模型

5.3 菲克一维扩散模型

5.4 原子扩散机理

5.5 测量技术

5.6 硼、磷、砷及锑的扩散率

5.7 二氧化硅中的扩散

5.8 硅中的快扩散杂质

5.9 多晶硅中的扩散

5.10 扩散的增强与阻滞

5.11 小结与展望

参考文献

习题

第六章 离子注入

6.1 引言

6.2 离子注入系统和剂量控制

6.3 离子射程

6.4 无序的产生

6.5 注入掺杂剂的退火

6.6 浅结（As，BF2）

6.7 少数载流子效应

6.8 吸杂

6.9 超大规模集成电路工艺中的效应

6.10 小结与展望

参考文献

习题

7.1 引言

第七章 刻蚀

7.2 刻蚀工艺

7.3 光学刻蚀

7.4 电子束刻蚀

7.5 X射线刻蚀

7.6 其他刻蚀技术

7.7 小结与展望

参考文献

习题

8.1 引言

第八章 干腐蚀

8.2 图形转换

8.3 低压气体放电

8.4 等离子体腐蚀技术

8.5 腐蚀速率和选择性控制

8.6 边缘剖面的控制

8.7 副作用

8.8 超大规模集成电路技术的干法腐蚀工艺

8.9 小结与展望

参考文献

习题

第九章 金属化

9.1 引言

9.2 物理气相淀积方法

9.3 金属化中遇到的问题

9.4 金属化失效

9.5 栅和互连用的硅化物

9.6 侵蚀与键合

9.7 展望

参考文献

习题

第十章 工艺模拟

10.1 引言

10.2 外延

10.3 离子注入

10.4 扩散和氧化

10.5 刻蚀

10.6 腐蚀与淀积

10.7 器件模拟

10.8 小结与展望

参考文献

习题

第十一章 超大规模集成电路工艺汇总

11.1 引言

11.2 集成电路工艺的基本问题

11.3 双极集成电路技术

11.4 NMOS集成电路技术

11.5 CMOS集成电路技术

11.6 超大规模集成电路的小型化

11.7 现代集成电路的制造

11.8 小结与展望

参考文献

习题

第十二章 诊断技术

12.1 引言

12.2 形貌测定

12.3 化学分析

12.4 晶体结构和力学性质

12.5 电学测绘

12.6 小结与展望

参考文献

习题

第十三章 组装技术和封装

13.1 引言

13.2 大圆片的切割与分类

13.3 芯片互连

13.4 封装类型和制造工艺

13.5 关于封装的特殊问题

13.6 封装应用方面的问题

13.7 小结与展望

参考文献

习题

第十四章 成品率及可靠性

14.1 引言

14.2 超大规模集成电路中成品率下降的机理

14.3 成品率下降机理的模型分析

14.4 超大规模集成电路的可靠性要求

14.5 失效分布、可靠性及失效率的数学表示

14.6 通用的分布函数

14.7 加速试验

14.8 失效机理

14.9 小结与展望

参考文献

习题

附录

A．硅的特性

B．符号表

C．国际单位制

D．物理常数

索引

编后记