译者的话

第一章 绪言

目录

原作者序

第二章 光电发射的基础

2.1 体积效应与表面效应

2.2 金属材料与非金属材料的比较

2.3 半导体的光电发射

第三章 金属的光电发射

3.1 引言

3.2 金属的逸出功

3.3 金属的量子效率（通论）

3.4 碱金属的量子效率

4.1 碱金属

第四章 光电阴极工艺

4.2 真空要求

4.3 金属蒸发技术

4.4 光电灵敏度的定义

4.5 前照明与背照明

第五章 半导体光电发射体（引言）

第六章 铯-锑光电阴极

6.1 历史

6.2 制造

6.3 化学组成

6.4 厚度与密度

6.5 Cs3Sb的晶体结构

6.6 铯的分蒸气压

6.7 Cs3Sb的光电发射特性

6.8 其他的电特性

6.9 Cs3Sb的光学性质

6.10 测量的解释

第七章 Cs3Sb阴极以外的单碱锑化物光电阴极

7.1 钾-锑光电阴极

7.2 铷-锑光电阴极

7.3 钠-锑光电阴极

7.4 锂-锑光电阴极

第八章 多碱锑化物光电阴极

8.1 历史

8.2 钠-钾-锑与铯-钠-钾-锑（S-20）光电阴极

8.3 钾-铯-锑光电阴极

8.4 铷-铯-锑光电阴极

第九章 单碱及多碱光电阴极性质摘要

10.2 历史

第十章 银-氧-铯（S-1）光电阴极

10.1 引言

10.3 银-氧-铯光电阴极的制造

10.4 化学组成

10.5 Ag-O-Cs光电阴极的结构

10.6 光电发射特性

10.7 其他电学及光学性质

10.8 Ag-O-Cs特性的解释

第十一章 铋-铯与铋-银-氧-铯（S-10）光电阴极

11.1 历史

11.2 铯-铋光电阴极

11.3 铋-银-氧-铯（S-10）光电阴极

第十二章 对紫外灵敏的高量子产额光电阴极

12.1 引言

12.2 对紫外灵敏的光电阴极用的窗

12.3 对紫外灵敏的光电阴极的测量

12.4 2000到3500？范围的光电阴极

12.5 1050到2000？范围的光电阴极

12.6 1050？以下范围的光电阴极

第十三章 其他各种半导体光电发射体

13.1 引言

13.2 元素半导体

13.3 Ⅲ-Ⅴ半导体

13.4 Ⅱ-Ⅵ半导体

13.5 Ⅳ-Ⅵ半导体

13.6 其他各种材料

13.7 （EG＋EA）,EG及EA值摘要

14.1 辐射探测器

第十四章 实用光电发射材料

14.2 变象管

参考文献

译者增补说明

Ⅰ．Ⅲ-Ⅴ族化合物光电阴极

1.1 引言

1.2 光电发射的物理模型

1.2.1 物理图象

1.2.2 三步过程及其对半导体的应用

1.2.2.1 三步过程

1.2.2.2 对半导体的应用

1.2.3 偶极子模型与异质结模型

1.2.4 暗电流

1.3 外延层的生长

1.3.1 汽相外延

1.3.2 液相外延

1.3.3 分子束外延

1.4 激活技术

1.4.1 引言

1.4.2 对清洁及真空的要求

1.4.3 清洁技术

1.4.4 激活材料

1.4.4.1 铯源

1.4.4.2 氧源

1.4.5 激活程序

1.5 光电发射特性

1.5.1 Ⅲ-Ⅴ化合物光电发射特性

1.5.2 影响逃逸几率的因素

1.6 反射式光电阴极

1.7.1 理论考虑

1.7 透射式光电阴极

1.7.2 光电阴极的制造

1.8 在变象管中的应用

1.8.1 调制传递函数

1.8.2 时间分辨率

1.8.3 一种近贴聚焦变象管

1.9 结束语

Ⅱ．多碱光电阴极的进展

2.1 引言

2.2 提高红响应的努力

2.3 化学组成及晶体结构

2.4 转移阴极技术

2.5 光电阴极的稳定性

2.6 碱金属源

参考文献