目录

第一部分　存储器分类及原理

第一章　动态随机存储器

1.1　概述

1.2　单元电路

1.3　总体结构

1.4　一种CMOS DRAM电路实例

1.5　性能指标

参考文献

第二章　静态随机存储器

2.1　概述

2.2　单元电路

2.3　总体结构

2.4　读写过程和性能指标

2.5　几种新技术

一、地址变化探测

二、自刷新

三、字线分割技术

四、片内电压转换技术

参考文献

第三章　只读存储器

3.1　概述

3.2　掩膜ROM

一、单元电路

二、总体结构

三、主要电路形式

四、性能指标

五、应用举例

3.3 可编程只读存储器

一、单元电路

二、总体结构

三、性能指标

3.4　可擦除的可编程只读存储器

一、单元电路

二、总体结构

三、性能指标

一、单元电路

3.5 电可擦可编程只读存储器

二、单元阵列和工作方式

三、总体结构

四、性能指标

五、单5V电源的E2PROM

六、MNOS结构的E2PROM

3.6　快闪存储器

一、单元结构

二、总体结构

参考文献

第四章　其他存储器和技术

4.1　按内容寻址的存储器（CAM）

4.2　视频随机存储器（Video RAM）

4.3　移位寄存器（S.R.）

一、两相动态有比移位寄存器

二、两相动态无比移位寄存器

三、静态移位寄存器

四、单相时钟移位寄存器

五、串行存储器

4.4　铁电不挥发随机存取存储器

（FRAM）

一、铁电存储单元

二、存储器结构

4.5　冗余和容错技术

一、成品率与缺陷的关系

二、冗余技术

三、容错技术

参考文献

第二部分　存储器系列介绍

第五章　动态存储器

5.1　通用动态存储器

一、动态存储器的数据存取方式

二、动态存储器的刷新方式

三、动态存储器的软错和硬错失效

四、动态存储器系统设计中的几个

问题

五、动态存储器产品举例

一、准静态存储器的读和写操作

5.2　准静态随机存储器

二、准静态存储器的刷新

三、准静态存储器产品举例

四、准静态存储器的应用举例

5.3　视频随机存储器

5.4　动态存储器系列品种及特性

汇总

第六章　静态存储器

6.1　通用静态存储器

6.2　高速缓存器（CACHE）

一、高速缓存器的作用和分类

二、用于Cache的静态存储器举例

6.3　同步静态存储器

一、同步静态存储器的特点

二、同步静态存储器产品举例

6.4　多口静态存储器

汇总

6.5　静态存储器系列品种及特性

第七章　不挥发存储器

7.1　掩膜只读存储器

7.2　熔丝编程存储器

一、肖特基DEAP工艺PROM

二、肖特基DEAP工艺带输出寄存器

PROM

一、富士通公司MBM27C128 UV

EPROM

7.3　电编程存储器

二、富士通公司MBM27C128F一次性

编程EPROM

7.4　电擦除电编程存储器

7.5　快闪存储器

一、概述

二、应用前景

三、快闪存储器产品举例

7.6　不挥发存储器系列品种及

特性汇总

8.1 内容寻址存储器

第八章　特殊存储器

8.2　先进先出存储器

一、概述

二、FIFO产品举例

三、其他先进先出存储器产品

8.3　Cache地址标签比较器

8.4　特殊存储器系列品种及特性

汇总

一、随机访问存储器

二、只读存储器

第三部分　半导体存储系统的组织

9.1　半导体存储器的分类

第九章　存储技术概述

三、其他功能型存储器

9.2　存储器的性能指标

一、存储容量S

二、访问时间tA和访问周期tM

四、功耗、体积和组装密度

五、成本和价格

三、存储器的频带宽度Bm

六、可靠性

七、信息的可保持性

第十章　存储芯片的逻辑结构

及其使用方法

10.1　存储阵列结构及其编址原理

一、一维编址的存储阵列

二、二维编址的存储阵列

三、存储阵列的编址方法小结

一、地址通路

二、数据输入／输出通路

10.2 存储芯片的地址通路和数据

通路

10.3 存储芯片对外接口

一、地址码（A）

二、数据输入端（D、I、DI或Din）

三、数据输出端（Q、O、QO或Iout）

四、双向数据端（DQ或IO）

五、片选（择）（？或？）

七、片使能信号（？或？）

八、输出使能信号（？或？）

六、写使能信号（？、？或R/？）

10.4　存储容量的扩充

一、位向扩展

二、字向扩展

三、双向扩展

第十一章　基本结构存储器的组织

第十一章　基本结构存储器的组织储器

一、非挥发性存储芯片的分类和选型

11.1　非挥发性存储器——只读存

二、非挥发性存储器应用示例

三、微程序控制存储器

11.2　静态随机访问存储器

一、存储芯片的选择和存储阵列的结构

二、地址和寻址逻辑

三、数据通路

四、内部时钟系统

五、存储器的总框图

11.3　动态随机访问存储器

一、DRAM的刷新

二、IBM PC/XT系统板DRAM的

组织

第十二章 并行存储器系统

12.1 前言

12.2 多体并行交叉访问存储器

一、基本结构

二、基本工作方式

三、编址和寻址方法

12.3 并行存储系统概述

一、多体—单总线结构

二、多体—多总线结构

三、多体—单总线二维结构

四、单体—单总线二维结构

12.4 多体一单总线交叉访问

存储器实例

一、存储芯片和存储体结构

二、存控结构及原理

三、存储控制器的工作流程

四、存储控制中的一些细节

系统

一、总体特点

12.5 多体—双总线并行存储

二、最优先和次优先的两个入口排队器

三、总线和总线缓冲栈

四、页式存储和地址映像

五、缓冲寄存器Rk和访体／输出

排队器

一、共享存储器多处理机系统简介

12.6 多处理机系统中的共享

存储器

二、共享存储器的仲裁（排队）器

三、交叉开关网络

12.7　无冲突存储器及其地址

变换

一、存储体的访问冲突

二、地址变换

一、奇偶校验的概念和定义

13.1　奇偶校验码

第十三章　存储器的检错和纠错

二、奇偶校验的实现

13.2　编码理论

一、线性分组码及其一致校验矩阵——H矩阵

二、汉明重量W和汉明距离d

三、最小距离译码法

四、线性分组码的性质及纠错、

检错能力

五、症状码S和错误模式向量E

13.3　常用的纠错码

一、汉明码

二、奇权码

三、带字节校验的纠1检2码简介

第十四章　存储器的工程设计

14.1　噪声、噪声容限和抗噪能力

一、噪声

二、噪声容限

14.2　存储系统的交流噪声

一、线间串扰

三、交流噪声容限

二、传输线的反射

三、供电系统的噪声

14.3　存储器工程特点及设计考虑

一、插件的划分

二、存储板的供电环节

三、存储阵列的驱动

第十五章　半导体存储器件测试原理

参考文献

第四部分　半导体存储器测试技术

15.1　概述

一、半导体存储器件的发展及其对测试技术的要求

二、测试分类及测试内容

15.2　随机存取存储器件的工作

原理

一、静态RAM的工作原理

二、动态RAM的工作原理

15.3　存储器件的故障模式

一、硬失效

二、软失效

参考文献

第十六章　半导体存储器件的性能测试

16.1　直流参数测量

一、直流参数体系

二、直流参数测试方法

16.2　半导体存储器件功能测试

一、功能测试方法

二、功能检测的环境

一、选址方法

16.3　算法生成测试图形

二、N型算法测试图形

三、N2型算法测试图形

四、N3/2型算法测试图形

五、N log2 N型算法测试图形

六、算法功能测试小结

16.4　存储芯片的动态参数测量

一、动态参数体系

二、测量动态参数的方法

三、刷新时间的测试方法

16.5　半导体只读存储器编程与

测试

一、半导体只读存储器结构特点及其现场编程

二、只读存储器的测试

16.6　存储器件测试中的几个问题

及测试策略

一、存储芯片内部的拓扑排列

二、空周期与半周期

合格率

三、测试系统总定时精度与产品

四、测试环境

五、测试时间危机及测试策略

参考文献

第十七章　集成电路测试系统

17.1　集成电路测试系统概述

一、集成电路测试系统的发展

二、集成电路测试系统与制造工艺技术的关系

三、测试系统的分类

硬件结构

17.2　数字集成电路测试系统的

一、系统控制器

二、定时子系统

三、功能子系统

四、格式化子系统

五、直流（DC）子系统

六、测试台子系统

环境

一、操作系统

17.3　集成电路测试系统的软件

二、测试语言环境

三、测试运行系统

四、应用调试程序

五、应用分析系统

六、诊断工具软件包

七、自校准工具软件包

八、仿真器

九、扩充系统

参考文献