目录Ⅰ 导论GaInAsP合金半导体：导论 （G.A.Antypas）

Ⅱ 晶体的外延生长第一章 GaInAsP的汽相外延（G.H.Olsen）

第二章 液相外延（K.Nakajima）

第三章 低压金属有机化合物汽相外延生长的Ga0.47In0.53As/InP和GaInAsP/InP双异质结构（J.P.Hirtz,M.Razeghi,M.Bonnet,J.P.Duchemin）

第四章 分子束外延生长Ⅲ-Ⅴ族合金（C.E.C.Wood）

第五章 离子注入（F.H.Eisen,L.R.Tomasetta）

第六章 高纯材料（G.E.Stillman,L.W.Cook,T.J.Roth,T.S.Low和B.J.Skromme）

Ⅲ TGaInAsP材料性质第七章 GaInAsP中缺陷运动和扩展的非辐射缺陷结构的生长（W.D.Johnston,Jr）

第八章 低场载流子迁移率（J.R.Hayes,A.R.Adams和P.D.Greene）

第九章 低场输运计算（Y.Takeda）

第十章 与InP晶格匹配的n-型Ga1-xInxASyP1-y合金中的过热电子输运（M.A.Littlejohn,T.H.Glisson和J.R.Hauser）

第十一章 高场输运测量（R.F.Leheny）

第十二章 与InP晶格匹配的GaxIn1-xAsyP1-y合金的电子结构（T.P.Pearsall）

第十三章 GaInAsP的光致发光和光增益（E.O.G？bel）

Ⅳ GaInAsP器件工艺和特性第十四章 双异质结构激光器（Y.Suematsu,K.Iga,和K.Kishino）

第十五章 激光器阈值电流与温度的关系（Yoshiji,Horikoshi）

第十六章 光电探测器（Y.Matsushima和K.Sakai）

第十七章 场效应晶体管（Hideo,Ohno和J.Barnard）