第一章 外延生长概述

1-1 什么是外延生长

1-2 外延生长的种类

1-3 外延生长的特点

1-4 器件对外延片的一般要求

参考文献

第二章 衬底的制备

2-1 单晶的定向

2-2 单晶的切割

2-3 单晶片的研磨

2-4 单晶片的倒角

2-5 单晶片的化学腐蚀

2-6 单晶片的抛光

2-7 单晶片的化学清洗

2-8 单晶片质量的检测

参考文献

第三章气相外延生长

3-1 气相外延生长的淀积反应

3-2 气相外延生长的热力学

3-3 气相外延生长的动力学

3-4 气相外延生长的成核和生长

3-5 气-液-固外延生长

参考文献

第四章 硅气相外延生长

4-1 氢还原SiCl4硅外延生长原理

4-2 氢还原SiCl4硅外延生长设备

4-3 氢还原SiCl4硅外延生长工艺

4-4 氢还原SiCl4硅外延生长参数控制

4-5 硅外延层质量的检测

4-6 硅外延层缺陷的分析

4-7 氢还原SiHCl3硅外延生长

4-8 硅烷热分解硅外延生长

4-9 二氯硅烷和混合源硅外延生长

参考文献

第五章 硅气相外延的发展

5-1 完美硅外延生长

5-2 选择硅外延生长

5-3 低压硅外延生长

5-4 低温硅外延生长

5-5 很低压硅外延生长

5-6 增强等离子体硅外延生长

参考文献

第六章 砷化镓气相外延生长

6-1 氯化物歧化法GaAs气相外延生长

6-2 GaAs外延层电学特性控制

6-4 Ga/HCl/AsCl3/H2体系GaAs外延生长

6-3 GaAs外延层的缺陷

6-5 GaAs的选择外延生长

6-6 GaP和InP气相外延生长

6-7 GaAs1-xPx气相外延生长

参考文献

第七章 金属有机化合物气相外延生长

7-1 MOVPE技术概要

7-2 MOVPE设备

7-3 MOVPE生长GaAs及其影响因素

5-7 离子团束硅外延生长

5-8 P-CVD硅外延生长

7-4 MOVPE生长GaAs的反应机理

7-5 MOVPE法生长Ga1-xAlxAs

7-6 GaxIn1-xAs1-yPy的MOVPE外延生长

7-7 MOVPE技术的现状

参考文献

第八章 液相外延生长

8-1 液相外延生长方法和装置

8-2 从二组分溶液液相外延生长原理

8-3 从二组分溶液中瞬态生长

8-4 从含有两个以上组分的溶液中的异质外延生长

8-5 平衡相图

8-6 液相外延层电性能和发光性能的控制

8-7 液相外延层表面形貌

8-8 液相外延生长的实例

参考文献

第九章 固相外延生长

9-1 无输运介质的固相外延生长

9-2 有输运介质的固相外延生长

9-3 固相外延生长小结

参考文献

第十章 分子束外延生长

10-1 分子束外延生长设备

10-2 分子束外延生长的源气化

10-3 分子束外延生长动力学

10-4 分子束外延生长GaAs

10-5 分子束外延生长其它化合物半导体

10-6 分子束外延生长硅

10-7 分子束外延在超晶格制备方面的应用

参考文献

11-1 电外延生长技术

第十一章 其它外延生长技术

11-2 热壁外延生长技术

11-3 化学束外延生长技术

11-4 利用离子的化合物半导体外延生长技术

11-5 利用光的化合物半导体外延生长技术

11-6 原子层、分子层外延生长技术

参考文献

第十二章 异质外延生长

12-1 GaAs/Si外延生长

12-2 SOS外延生长

12-3 SOI外延生长

参考文献