第一章 金属和半导体的接触

1·1能带结构

目录

1·2表面能级

1·3电流-电压特性

1·3·1扩散理论

1·3·2两极管理论

1·4少数载流子的注入

2·1pn结的整流理论

第二章 pn结

2·1·1肖克莱理论

2·1·2特殊情形

2·1·3各种结

2·2pn结的阻抗

2·2·1反向偏压的情形

2·2·2正向偏压的情形

2·3隧道结

2·4·1击穿机构

2·4pn结的击穿现象

2·4·2结构缺陷和击穿

第三章 pn结载流子扩散型晶体三极管

3·1小注入一维模型晶体三极管的导纳参数

3·2晶体三极管实际工作状态的讨论

3·2·1对于略去电场的讨论

3·2·2关于边界条件的讨论

3·2·3对于电中性条件的讨论

3·3任一注入下的晶体三极管的工作情况

3·4·1表面复合对电流放大系数的影响

3·4晶体三极管的三维效应

3·4·2决定电流放大系数的因子

3·4·3由于结为曲面而引起的截止频率的降低

3·4·4基区电阻

第四章 载流子漂移型晶体三极管

4·1载流子漂移型晶体三极管概述

4·2内区的四端网络参数（指数函数分布）

4·2·1四端网络参数的计算

4·2·2y参数的频率特性

4·2·3电流放大系数的频率特性的近似解

4·2·4同载流子扩散型晶体三极管特性的比较

4·2·5用电荷控制法进行分析

4·3内区的四端网络参数（误差函数分布）

4·4大注入工作

4·5高杂质浓度时的各种特性

4·6漂移型晶体三极管的特性

第五章 晶体三极管的电荷控制分析法

5·1概述

5·2大振幅工作的基本分析

5·2·1参数和等效电路

5·2·2参数的表达式

5·2·3开关时间和开关电路的设计

5·3比较精确的分析大振幅工作

5·3·1基本方程

5·3·2qb与ic的关系

5·3·3集电极耗尽层电容的影响

5·4参数测量法

5·4·1有源区时间常数的测量法

5·4·2饱和时间常数的测量法

5·5·2杂质分布和基区渡越时间的关系

5·5·1空穴分布和基区渡越时间

5·5分析基区渡越时间

5·5·3基区渡越时间和α截止频率的关系

5·5·4分析迁移率与杂质浓度的依从关系

5·5·5基区渡越时间对注入水平的依从关系

第六章 pnpn器件

6·1pnpn结构的两种稳定工作方式

6·2断开接通两种状态之间的过渡区

6·3分析pnpn器件

6·4·1发射极注射效率随电流的变化

6·4电流放大系数α随电流的变化

6·4·2注入载流子输运系数随电流的变化

6·5开关特性

6·5·1接通作用

6·5·2断开作用

第七章 变容器件

7·1概述

7·2杂质分布引起的电容对电压的依从关系

7·3三端变容器件

参考资料