第一章 半导体材料概述

1-1 半导体材料发展简史

1-2 半导体材料分类

1-3 半导体材料的基本特性及其应用

一、半导体材料的基本特性

二、半导体材料的应用

第二章 晶体生长理论基础

2-1 结晶相变热力学基础

一、结晶相变热力学概述

二、结晶系统平衡条件

三、结晶相变热力学基础

2-2 结晶学原理

一、均匀成核

二、非均匀形核及形核能

三、二维形核（二维临界晶核）

2-3 晶体界面结构模型

一、完整突变光滑面生长模型

二、非完整突变光滑面生长模型

附录2-Ⅰ理想气体的化学势

附录2-Ⅱ稀溶液中各组元的化学势

参考文献

习题

第三章 单晶生长方法的理论分析

3-1 晶体生长方法概述

3-2 从熔体中生长晶体

一、熔体生长过程之特点

二、熔体生长方法

3-3 熔体生长单晶锭的基本原理

一、基本概念

二、分凝现象和分凝系数

三、晶体中溶质的分布

四、熔体生长系统的温度分布和热传输

五、生长界面的稳定性

参考文献

习题

第四章 锗硅单晶材料的制备

4-1 多晶硅的制备

一、工业硅的制备

二、四氯化硅（SiCl4）的制备

三、三氯氢硅（SiHCl3）的制备

四、精馏提纯

五、四氯化硅或三氯氢硅的氢还原法制取多晶硅

六、硅烷热分解法制取多晶硅

七、氢还原法制备多晶硅的工艺系统

八、沉积多晶硅的载体

九、多晶硅的结构模型和性质简介

4-2 单晶硅的制备

一、掺杂

二、单晶体中杂质浓度的均匀性（电阻率的均匀性）及其控制

四、坩埚

三、籽晶

五、有坩埚直拉法拉制单晶硅工艺简介

六、有坩埚直拉法单晶炉的装置简介

七、区熔法制备锗、硅单晶

参考文献

习题

5-1 硅晶体中的位错

一、硅晶体中位错的产生

第五章 硅单晶中的缺陷及其控制

二、硅晶体中常见的几种位错形式

三、位错对半导体材料主要性能之影响

四、位错对半导体器件性能和成品率的影响

五、位错及重金属杂质沾污的控制

5-2 硅单晶中微缺陷的形成与控制

一、微缺陷形成模型及其本质

二、微缺陷对器件性能及成品率的影响

三、微缺陷的控制及消除措施

5-3 硅单晶中的氧和碳

一、硅中的氧

二、硅中的碳

5-4 生长层条纹（杂质条纹）及其控制

一、生长条纹概况

二、生长条纹的形成及其形态

5-5 磁场中直拉硅单晶工艺技术简介

附录5-Ⅰ 瑞利数Ra

附录5-Ⅱ 硅单晶中几种常见的缺陷显微图相

参考文献

习题

第六章 化合物半导体材料

6-1 Ⅱ-Ⅴ族化合物半导体的特性

一、Ⅱ-Ⅴ族化合物半导体的一般性质

二、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的晶体结构

三、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶体的化学键和极性

四、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶体的极性对其物理化学性质的影响

一、GaAs的能带结构及其主要特点

6-2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶体的能带结构简介

二、InSb 的能带结构及其主要特点

三、GaP的能带结构及其主要特点

四、其它Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构

6-3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的相图简介

一、二元系相图的一般介绍

二、二组元间能形成化合物的相图

三、Ⅲ-Ⅴ族化合物相图简介

6-4 Ⅲ-Ⅴ族化合物的蒸气压与化学比

一、蒸气压问题

二、化学比问题

6-5 砷化镓单晶材料的制备

一、温度高于GaAs熔点的合成法

二、温度低于GaAs熔点的生长

6-6 砷化镓晶体的掺杂

一、GaAs单晶中的杂质与控制

二、GaAs外延层的掺杂与分布

6-7 Ⅲ-Ⅴ族化合物固溶体的制备

一、镓砷磷（GaAs1-xPx）气相外延生长

二、镓铝砷（Ga1-xAlxAs）的液相外延生长

6-8 Ⅰ-Ⅵ族化合物半导体材料

一、Ⅰ-Ⅵ族化合物半导体的一般性质

二、Ⅰ-Ⅵ族化合物半导体的合成与晶体生长过程中的相平衡

三、Ⅲ-Ⅵ族化合物的合成和晶体制备

6-9 碲镉汞晶体材料的生长技术简介

6-10 化合物半导体晶体中的缺陷

一、点缺陷（又称热缺陷）

二、点缺陷的产生及其对化合物半导体性能的影响

附录6-Ⅰ元素的负电性

参考文献

习题

二、晶向测定

一、外观检验

第七章 半导体材料的检测

7-1 单晶体均检验

7-2 位错及重金属杂质的检验方法

一、位错的检验方法

二、重金属杂质检验方法

7-3 红外线吸收法测定硅中的氧、碳含量

7-4 导电类型的判别

一、温差电动势法（冷热探针法）

7-5 电阻率测量

二、单探针点接触整流法（点接触伏安特性法）

一、二探针法

二、四探针法

7-6 少数载流子寿命测量

一、光注入测扩散长度法

二、光电导衰减法

三、高频光电导衰减法

四、双脉冲法

习题