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《半导体物理学》_刘恩科;朱秉升_11498290_15119·2331

【书名】:《半导体物理学》
【作者】:刘恩科;朱秉升
【出版社】:上海:上海科学技术出版社
【时间】:1984
【页数】:292
【ISBN】:15119·2331
【SS码】:11498290

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内容简介

目录

出版说明

前言

主要参数符号表

第1章 半导体中的电子状态

§1-1 半导体中的电子状态和能带

§1-2 半导体中电子的运动 有效质量

§1-3 本征半导体的导电机构 空穴

§1-4 回旋共振

§1-5 硅和锗的能带结构

§1-6 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构

习题

参考资料

第2章 半导体中杂质和缺陷能级

§2-1 硅、锗晶体中的杂质能级

§2-2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级

§2-3 缺陷 位错能级

参考资料

第3章 半导体中载流子的统计分布

§3-1 状态密度

§3-2 费米能级和载流子的统计分布

§3-3 本征半导体的载流子浓度

§3-4 杂质半导体的载流子浓度

*§3-5 一般情况下的载流子统计分布

§3-6 简并半导体

*补充材料 电子占据杂质能级的几率

习题

参考资料

第4章 半导体的导电性

§4-1 载流子的漂移运动 迁移率

§4-2 载流子的散射

§4-3 迁移率与杂质浓度和温度的关系

§4-4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系

*§4-5 玻耳兹曼方程 电导率的统计理论

§4-6 强电场下的效应 热载流子

*§4-7 多能谷散射 耿氏效应

习题

参考资料

§5-1 非平衡载流子的注入与复合

第5章 非平衡载流子

§5-2 非平衡载流子的寿命

§5-3 准费米能级

§5-4 复合理论

*§5-5 陷阱效应

§5-6 载流子的扩散运动

§5-7 载流子的漂移运动 爱因斯坦关系式

§5-8 连续性方程式

习题

参考资料

第6章 p-n结

§6-1 p-n结及其能带图

§6-2 p-n结电流电压特性

§6-3 p-n结电容

§6-4 p-n结击穿

§6-5 p-n结隧道效应

习题

参考资料

第7章 金属和半导体的接触

§7-1 金属半导体接触及其能级图

*§7-2 金属半导体接触整流理论

§7-3 少数载流子的注入和欧姆接触

习题

参考资料

第8章 半导体表面理论

*§8-1 表面态

§8-2 表面电场效应

§8-3 MIS结构的电容-电压特性

§8-4 硅-二氧化硅系统的性质

*§8-5 表面电导及迁移率

§8-6 表面电场对p-n结特性的影响

习题

参考资料

第9章 异质结

§9-1 异质结及其能带图

§9-2 异质结的电流输运机构

§9-3 异质结在器件中的应用

参考资料

第10章 半导体的光学性质和光电效应

§10-1 半导体的光学常数

§10-2 半导体的光吸收

§10-3 半导体的光电导

§10-4 半导体的光生伏特效应

§10-5 半导体发光

§10-6 半导体激光

习题

参考资料

第11章 半导体的热电性质

§11-1 热电效应的一般描述

§11-2 半导体的温差电动势率

§11-3 半导体的珀耳帖效应

§11-4 半导体的汤姆孙效应

§11-5 半导体的热导率

§11-6 半导体热电效应的应用

参考资料

习题

第12章 半导体磁电和压阻效应

§12-1 霍耳效应

§12-2 磁阻效应

§12-3 热磁效应

§12-4 光磁电效应

§12-5 压阻效应

习题

参考资料

附录

附录1 常用物理常数和能量表达变换表

附录2 半导体材料物理性质表

参考资料


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