第1章 绪论

1.1 ESD现象

1.2 ESD对芯片的威胁

1.3 ESD防护种类

1.4 ESD防护研究发展和现状

参考文献

第2章 ESD测试标准和方法

2.1概述

2.2 ESD主要模型及其测试方法

2.2.1人体模型

2.2.2机器模型

2.2.3充电器件模型

2.2.4 IEC模型

2.2.5人体金属模型

2.3 TLP测试标准和方法

参考文献

第3章 ESD防护原理

3.1 ESD的防护和评估

3.2器件级ESD防护方法

3.3电路级ESD防护方法

3.4系统级和板级ESD防护方法

参考文献

第4章 纳米集成电路ESD防护设计和实例分析

4.1概述

4.2纳米集成电路ESD可靠性

4.3纳米集成电路ESD防护目标

4.4纳米集成电路ESD防护方法和实例

4.5纳米集成电路ESD防护设计的版图优化

参考文献

第5章 射频集成电路ESD防护设计和实例分析

5.1概述

5.2射频集成电路ESD防护器件的评估方法

5.3射频ESD防护器件的评估和优化

5.3.1二极管的评估和优化

5.3.2 GGNMOS器件评估

5.3.3 SCR器件的评估和优化

5.3.4 ESD器件综合性能对比

5.4射频电路-ESD协同设计

5.5射频集成电路ESD防护案例

参考文献

第6章 高压功率集成电路ESD防护设计和实例分析

6.1概述

6.1.1高压ESD的防护目标

6.1.2高压ESD防护方案

6.2高压BCD工艺ESD自防护设计

6.2.1高压nLDMOS的自防护设计

6.2.2高压nLDMOS的ESD防护特性

6.2.3体扩展技术和版图布置

6.2.4体扩展技术的ESD特性

6.3高压BCD工艺ESD外防护设计

6.3.1 nLDMOS防护设计

6.3.2 LDMOS-SCR防护器件

6.3.3 nLDMOS-SCR的ESD防护特性

6.3.4高维持电压技术

参考文献

第7章 CDM及HMM的防护方法和实例分析

7.1 CDM的防护方法

7.1.1用于评估CDM的VFTLP方法

7.1.2用于评估CDM的VFTLP_VT方法

7.2 CDM的ESD防护实例分析

7.3 HMM的ESD防护方法

7.4 HMM的ESD防护实例分析

参考文献

第8章 ESD防护器件设计的TCAD工具及其仿真流程

8.1工艺和器件TCAD仿真软件的发展历程

8.2工艺和器件仿真的基本流程

8.3 TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例

8.3.1半导体工艺仿真流程

8.3.2从工艺仿真向器件仿真的过渡流程

8.3.3半导体器件仿真流程

8.4 ESD防护器件设计要求及其TCAD辅助设计方法

8.5利用瞬态仿真对ESD防护器件综合性能的评估

8.5.1 TCAD评估基本设置

8.5.2敏捷性评估

8.5.3鲁棒性评估

8.5.4有效性评估

8.5.5透明性评估

8.5.6 ESD总体评估

参考文献

第9章 ESD防护器件仿真中的关键问题

9.1 ESD仿真中的物理模型选择

9.2热边界条件的设定

9.3 ESD器件仿真中收敛性问题解决方案

9.4模型参数对关键性能参数仿真结果的影响

9.5二次击穿电流的仿真

9.5.1现有方法的局限性

9.5.2单脉冲TLP波形瞬态仿真方法介绍

9.5.3多脉冲TLP波形仿真介绍

参考文献

第10章 纳米线器件的ESD应力特性

10.1简介

10.2多晶硅纳米线薄膜晶体管的ESD性能

10.2.1器件结构和DC特性

10.2.2 ESD性能一览

10.2.3纳米线尺寸效应

10.2.4等离子体处理的影响

10.2.5版图优化

10.3全环栅硅纳米线场效应晶体管的ESD性能

10.3.1器件结构和直流性能

10.3.2 ESD的性能评估

10.3.3栅长的影响

10.3.4通道数目的影响

10.3.5失效分析

10.4 CMOS、FinFET和纳米线的ESD性能比较

10.4.1环栅硅纳米线管和多晶硅纳米线薄膜管的比较

10.4.2环栅硅纳米线管、FinFET和二维MOS管的比较

10.5总结

参考文献

第11章 总结和展望

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