第1章 光催化基础

1.1 光催化的起源

1.1.1 光催化领域的开拓者

1.1.2 可见光响应光催化的兴起

1.2 光催化基本原理

1.2.1 光催化的基本概念

1.2.2 光催化反应的基本过程

1.2.3 半导体光催化能带理论

1.2.4 光催化氧化反应机理

1.2.5 光催化活性的影响因素

1.3 TiO2光催化材料的研究进展

1.3.1 TiO2光催化材料的改性

1.3.2 TiO2薄膜光催化材料

1.4 光催化材料的发展趋势

1.4.1 光催化活性的提高

1.4.2 新型可见光催化材料的探索

参考文献

第2章 WO3基可见光催化材料

2.1 WO3的结构

2.1.1 晶体结构

2.1.2 能带结构

2.2 WO3的制备方法

2.2.1 溶胶-凝胶法

2.2.2 微乳液法

2.2.3 沉淀法

2.2.4 水热法

2.3 WO3粉体光催化材料的形貌控制

2.3.1 一维纳米结构

2.3.2 二维片状结构

2.3.3 层级孔状结构

2.4 WO3薄膜及其光催化性能调控

2.5 WO3光催化活性增强方法

2.5.1 石墨烯表面杂化

2.5.2 贵金属沉积

2.5.3 半导体复合

参考文献

第3章 Ag3PO4基可见光催化材料

3.1 Ag3PO4的形貌控制和光催化活性

3.2 Ag3PO4光催化材料的改性

3.2.1 Ag纳米颗粒对Ag3PO4的改性

3.2.2 石墨烯改性Ag3PO4光催化剂

3.3 Ag3PO4基半导体复合材料

参考文献

第4章 BiVO4基可见光催化材料

4.1 不同形貌单斜相BiVO4的合成

4.1.1 纳米颗粒

4.1.2 纳米片

4.1.3 孔状结构

4.1.4 层级结构

4.2 BiVO4光催化材料的改性

4.2.1 离子掺杂

4.2.2 复合材料

4.2.3 贵金属负载

4.3 BiVO4的光催化性能

参考文献

第5章 g-C3N4基可见光催化材料

5.1 g-C3N4的合成

5.1.1 前驱体和反应参数的影响

5.1.2 块体g-C3N4的剥离

5.1.3 不同形貌g-C3N4的合成

5.2 g-C3N4的能带工程设计

5.2.1 元素掺杂

5.2.2 分子掺杂

5.3 g-C3N4基半导体复合材料

5.3.1 传统Ⅱ型半导体异质结

5.3.2 Z型半导体异质结

参考文献

第6章 黑色TiO2可见光催化材料

6.1 黑色TiO2纳米材料的合成

6.1.1 氢化热处理

6.1.2 氢化等离子体处理

6.1.3 化学还原法

6.1.4 化学氧化法

6.2 黑色TiO2的结构特征

6.2.1 表面无序化

6.2.2 Ti3＋的存在

6.2.3 氧空位的存在

6.2.4 Ti—OH基团的存在

6.3 黑色TiO2的光催化性能

参考文献

第7章 Bi2WO6和Bi2MoO6可见光催化材料

7.1 Bi2WO6可见光催化材料

7.1.1 Bi2WO6的结构

7.1.2 Bi2WO6粉末的制备及其光催化性能

7.1.3 Bi2WO6薄膜的制备及其特性

7.1.4 Bi2WO6光催化机理

7.2 Bi2MoO6可见光催化材料

7.2.1 Bi2MoO6的结构

7.2.2 Bi2MoO6的制备

7.2.3 Bi2MoO6光催化性能的改性

参考文献

第8章 可见光催化材料的应用

8.1 可见光催化降解

8.1.1 可见光催化降解染料废水应用实例

8.1.2 可见光催化还原无机金属离子

8.1.3 光催化降解气体有害物质

8.2 光催化应用于有机合成

8.2.1 还原-氢转移反应

8.2.2 还原羧化反应

8.3 光解水制氢

8.3.1 半导体光解水制氢的原理

8.3.2 光解水制氢反应效率影响因素

8.3.3 光解水制氢反应效率提高途径

8.4 光电化学、光催化还原CO2

8.4.1 光电化学还原CO2

8.4.2 光催化还原CO2

8.5 光催化杀菌

参考文献